STI6N80K5

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否还在为高压开关器件的损耗和散热问题而困扰？现在，让我们向您隆重介绍一个划时代的解决方案STI6N80K5。这款来自意法半导体SuperMESH5家族的N沟道MOSFET，以其高达800V的漏源电压和仅为1.6欧姆的超低导通电阻，为您的高压应用带来了前所未有的效率提升与热管理简化。它不仅仅是一个开关，更是您系统实现高功率密度和长期稳定运行的基石。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或工业电机驱动器中，STI6N80K5正以其卓越的性能默默工作。它能够轻松应对严苛的工业环境，从-55°C到150°C的宽广结温范围确保了其在各种极端条件下的稳定表现。无论是服务器电源、LED照明驱动，还是电焊机、UPS等对可靠性要求极高的设备，这颗芯片都能凭借其85W的强大功率处理能力和优化的开关特性，显著降低开关损耗，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出，赢得客户的信赖。

选择STI6N80K5，就是选择了一份安心与高效。其TO-262（I2PAK）封装不仅提供了优异的散热性能，也便于生产焊接与自动化装配。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着驱动电路可以更简单、更快速，从而进一步提升系统整体效率。当您需要稳定可靠的供货渠道与专业的技术支持时，请务必认准我们的ST一级代理身份，我们将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STI6N80K5成为您下一代高性能电源设计的核心动力，开启高效、可靠的能量转换新篇章。

• 型号:STI6N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:255 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 现在可以订购STI6N80K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能兼顾高压、高效与可靠性的功率开关吗？STI6N80K5正是为您而来的答案。这颗基于先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的坚固耐压和仅1.6欧姆的超低导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它不仅能轻松处理高达4.5A的连续电流，其优化的动态参数（如低栅极电荷）更能让您的驱动设计变得简单，实现更快的开关速度。无论是提升现有产品的能效等级，还是开发面向工业级应用的新设备，STI6N80K5都能让您以更低的系统复杂度和更高的可靠性，轻松达成设计目标，为您的产品注入强大的市场竞争力。