STI76NF75 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STI76NF75技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换系统中，您是否仍在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个能够同时承载80A大电流、却将导通电阻控制在极低水平的功率开关，将如何彻底改变您的电源设计？这正是STI76NF75带来的革命性价值。作为ST意法半导体STripFET II家族的杰出代表，它不仅仅是一个MOSFET，更是您实现高效、紧凑、可靠功率管理的得力伙伴。

无论是工业电机驱动中需要频繁启停的严苛环境，还是服务器电源里对效率和功率密度有着双重高要求的应用，STI76NF75都能游刃有余。其75V的漏源电压和高达300W的功率处理能力，为各种AC-DC转换器、DC-DC转换器以及电机控制电路提供了坚实的保障。在电动工具、不间断电源（UPS）乃至新能源车载充电机中，这颗芯片都能确保能量以最低损耗、最高效率的方式进行传递和切换，让您的终端产品在激烈的市场竞争中凭借卓越性能脱颖而出。

选择STI76NF75，意味着您选择了一种经过市场验证的可靠解决方案。其11毫欧的超低导通电阻（在40A，10V条件下）直接转化为更少的热量产生和更高的系统效率，让散热设计变得更简单，系统寿命得以延长。宽广的-55°C至175°C工作结温范围，确保了它在极端环境下依然稳定运行。虽然该型号目前已停产，但通过值得信赖的ST代理渠道，您依然可以获取库存或找到完美的替代升级方案，确保项目供应链的连续性与安全性。这不仅仅是一次元器件采购，更是为您的产品注入强劲、可靠的核心动力，是面向未来高性能设计的明智之选。

型号:STI76NF75
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:I2PAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3700 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:300W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:I2PAK
封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的“核心开关”吗？STI76NF75正是为您而来的解决方案。这颗N沟道功率MOSFET拥有75V耐压和高达80A的连续电流承载能力，其精髓在于STripFET II技术带来的卓越性能：仅11毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体效率，让热量管理变得更轻松。

同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容特性，让驱动设计更为高效，有助于实现更高的开关频率，从而让您的电源设计可以朝着更小体积、更高功率密度的方向迈进。无论是应对工业领域的严酷挑战，还是满足消费电子对能效的苛刻要求，它都能让您的产品性能表现更加稳定出众。