STK28N3LLH5

在追求极致能效的电力转换世界中，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一个能同时将导通电阻降至4.5毫欧、栅极电荷控制在19nC的解决方案，将如何彻底改变您的电源设计格局。今天，我们为您带来的STK28N3LLH5，正是这样一款旨在打破性能瓶颈的N沟道功率MOSFET。它不仅仅是一个组件，更是您提升系统效率、缩小产品体积、降低整体成本的关键引擎。

无论是服务器电源中要求严苛的同步整流，还是电动工具里需要爆发性电流的电机驱动，甚至是汽车辅助系统中对空间和可靠性双重考验的负载开关，STK28N3LLH5都能游刃有余。其30V的漏源电压和高达28A的连续漏极电流，为中等电压、大电流应用提供了坚实的保障。独特的PolarPak封装技术，不仅优化了散热路径，让热量更高效地从芯片顶部和底部同时散出，还为实现更紧凑的PCB布局创造了可能。这意味着您的产品可以更轻薄，运行更凉爽，寿命更长久。

选择STK28N3LLH5，就是选择了一份经过市场验证的卓越基因它源自意法半导体广受赞誉的STripFET V产品家族。极低的导通电阻直接转化为更少的传导损耗，而优化的栅极电荷则显著降低了开关损耗，两者结合，让系统整体效率轻松攀上新的高峰。即使在-55°C到150°C的宽广结温范围内，它依然能保持稳定的性能输出，确保您的设备在各种极端环境下可靠工作。面对已经停产但需求依旧旺盛的经典型号，与一家可靠的ST芯片代理合作，是确保您供应链稳定、获得正品支持的不二法门。让STK28N3LLH5成为您下一个成功产品的强大心脏，开启高效、可靠、紧凑的电源管理新篇章。

• 制造商产品型号：STK28N3LLH5
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 28A POLARPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET V
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：28A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.5 毫欧 @ 14A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：19nC @ 4.5V
• Vgs（最大值）：±22V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2300pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：5.2W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：PolarPak
• 现在可以订购STK28N3LLH5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？STK28N3LLH5 N沟道MOSFET就是您的高效解决方案。它凭借STripFET V技术，实现了惊人的4.5毫欧超低导通电阻，能大幅减少传导损耗，让您的设备运行更凉爽，电能利用更充分。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的同步整流、电机驱动或DC-DC转换电路效率显著提升。其28A的强劲电流处理能力和优化的19nC低栅极电荷，确保了快速、干净的开关性能，既能应对瞬间大电流冲击，又能有效降低开关损耗。采用先进的PolarPak封装，散热能力出众，让您在设计高功率密度产品时，无需再为散热空间过分担忧，轻松实现更小巧、更可靠的终端设计。