STL100N1VH5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL100N1VH5技术参数详情：

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为导通损耗和开关效率而妥协？想象一下，一颗能在12V电压下承载高达100A电流的功率开关，其导通电阻低至惊人的3毫欧，这不仅仅是参数的提升，更是系统整体性能和可靠性的飞跃。这就是STL100N1VH5带来的核心价值它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是意法半导体STripFET V系列技术的杰出代表，专为那些对效率、功率密度和热管理有严苛要求的应用而生。

无论是服务器和数据中心中至关重要的CPU/GPU辅助电源轨（VRM），还是电动工具、无人机中需要爆发性大电流的电机驱动，甚至是汽车领域中的LED矩阵驱动和低电压DC-DC转换，STL100N1VH5都能游刃有余。其极低的Rds(on)特性意味着在导通状态下几乎不产生额外的热量损耗，让您的系统运行更凉爽、更持久。而高达150°C的结温工作范围，则赋予了它在恶劣环境下稳定运行的强大底气，确保您的产品在各种极端工况下都能表现出色。

选择STL100N1VH5，就是选择了一种经过市场验证的高性能解决方案。其采用的先进PowerFlat 5x6封装，在提供卓越散热能力的同时，极大节省了宝贵的PCB空间，让您的设计可以更加紧凑、高效。虽然该型号目前已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其成为特定高端或存量项目升级的优选。对于仍在寻找可靠货源进行生产或维护的工程师，通过专业的ST代理商渠道，依然有机会获取经过严格质量控制的原装产品，为您的关键设计保驾护航。这颗芯片所代表的低损耗、高电流处理能力，正是将您的创意转化为稳定、高效产品的坚实基石。

型号:STL100N1VH5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（5x6）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 12V 100A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 12.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:500mV @ 250A（最小）
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26.5 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2085 pF @ 10 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:60W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
封装/外壳:8-PowerVDFN
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您是否正在寻找一颗能够以极小损耗驾驭超大电流的功率开关？STL100N1VH5正是为此而生。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有12V的漏源电压和高达100A的连续漏极电流能力，其核心魅力在于超低的3毫欧导通电阻（在4.5V Vgs下）。这意味着当它完全开启时，电流可以几乎无阻碍地通过，从而将导通损耗降至最低，让您的电源转换或电机驱动系统效率大幅提升，发热显著减少。

得益于STripFET V技术和紧凑的PowerFlat封装，它不仅性能强悍，还能帮助您优化电路板布局，实现更高的功率密度。无论是处理瞬态大电流还是进行高频开关，其优化的栅极电荷和电容特性都能让您轻松驾驭，确保快速、干净的开关动作，从而提升整体系统的响应速度和稳定性。简而言之，STL100N1VH5能让您用更小的损耗和更紧凑的空间，可靠地控制强大的电能。