STL100N6LF6

在追求极致效率的电力转换世界中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个能承载100A大电流、导通电阻低至4.5毫欧的开关核心，将如何彻底改变您的电源设计格局？答案就在STL100N6LF6这颗性能强悍的N沟道功率MOSFET之中。它不仅仅是一个开关，更是意法半导体先进STripFET VI技术与DeepGATE工艺的结晶，专为要求严苛的高功率密度应用而生，旨在将能量损耗降至最低，让每一分电力都物尽其用。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是新能源车上的DC-DC转换器，甚至是高功率的LED照明驱动，STL100N6LF6都能游刃有余。其60V的漏源电压和高达175°C的结温工作能力，赋予了它在恶劣环境下稳定运行的底气。当您的系统需要在紧凑空间内处理大电流时，其创新的PowerFlat 5x6封装提供了卓越的散热性能和更小的占板面积，让高功率设计也能变得轻盈小巧。这意味着，您可以在不牺牲可靠性的前提下，打造出更高效、更紧凑的终端产品，从而在市场竞争中占据先机。

选择STL100N6LF6，就是选择了一份经过验证的性能保障。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度，显著降低了开关损耗，提升了整体系统效率。其优化的驱动特性（Vgs(th)仅2.5V）也让驱动电路的设计更为轻松。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其成为特定高端或存量项目升级的绝佳选择。为确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST代理商进行咨询与采购，他们能为您提供可靠的供应链保障与深度的产品知识，助您的项目顺利落地，释放全部潜能。

• 型号:STL100N6LF6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 60V 100A PWRFLAT 5X6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:130 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.8W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购STL100N6LF6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起大梁、同时保持冷静高效的功率开关吗？STL100N6LF6正是为此而生！这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有惊人的100A连续电流处理能力和低至4.5毫欧的导通电阻，能显著降低您电源系统中的传导损耗，让电能转换更加高效。

它采用先进的STripFET VI技术，配合紧凑的PowerFlat 5x6封装，不仅节省宝贵的电路板空间，其优异的散热性能更能让您在-55°C至175°C的宽广温度范围内稳定运行。无论是处理电机驱动中的峰值电流，还是在高频开关电源中实现快速切换，它都能轻松应对，让您的设计更可靠、性能更出众。