STL100NH3LL - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL100NH3LL技术参数详情：

想象一下，当您的电源管理系统需要处理高达100A的持续电流，而PCB空间却寸土寸金时，您会如何选择？答案就藏在STL100NH3LL这颗功率开关之中。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体STripFET III技术的杰出代表，专为应对严苛的高电流、高效率挑战而生。其3.5毫欧的超低导通电阻，意味着在您的大电流路径上，损耗被压缩到极致，宝贵的电能更多地转化为系统动力，而非令人头疼的热量。

无论是服务器和数据中心里24小时不间断运行的冗余电源，还是电动汽车中高效的能量转换与电机驱动，甚至是工业自动化设备里要求快速响应的功率控制单元，STL100NH3LL都能游刃有余。它那30V的漏源电压和高达150°C的结温工作范围，赋予了系统强大的鲁棒性和可靠性，确保在最复杂多变的应用环境中稳定输出。其PowerFlat封装不仅实现了优异的散热性能，更将占板面积缩至最小，让您的设计在性能和空间上取得完美平衡。

选择STL100NH3LL，就是选择了一种经过市场验证的高性能解决方案。它代表了意法半导体在功率器件领域的深厚积淀，其低栅极电荷特性确保了快速的开关速度，能显著提升系统的整体能效和动态响应。虽然该型号已停产，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其在特定存量市场和高可靠性设计中依然极具价值。若您正在寻找此类高性能功率器件的可靠供应与技术支援，可以咨询专业的ST中国代理，他们能为您提供全面的产品信息与供应链支持。让这颗强大的“能量心脏”，为您的下一代高密度、高效率电源设计注入澎湃动力。

型号:STL100NH3LL
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（5x6）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 100A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 12.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4450 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:80W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在为高电流应用的开关损耗和散热问题烦恼吗？STL100NH3LL正是为您排忧解难的利器。这颗来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其惊人的100A连续电流能力和仅3.5毫欧的超低导通电阻，能显著降低系统功耗，让您的电源转换或电机驱动方案效率大幅跃升。

它采用先进的STripFET III技术和紧凑的PowerFlat封装，不仅开关速度快、热性能优异，更能为您节省宝贵的电路板空间。无论是提升现有产品的能效等级，还是攻克新的高功率密度设计挑战，STL100NH3LL都能让您轻松实现高效、可靠的功率控制，是工程师应对严苛功率管理任务的信心之选。