STL105N4LF7AG

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为效率和空间而妥协？想象一下，一颗能够承载高达105A电流的开关器件，其导通电阻却低至惊人的4.5毫欧，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，更多的功率被精准地输送到负载端。这正是STL105N4LF7AG为您带来的核心价值它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升系统整体能效、实现设计小型化的强大引擎。

无论是汽车引擎控制单元中需要高可靠性的电机驱动，还是服务器电源里要求严苛的同步整流和DC-DC转换，甚至是紧凑型电动工具中追求爆发力的电池管理系统，STL105N4LF7AG都能游刃有余。它基于意法半导体先进的STripFET F7技术打造，专为汽车级（AEC-Q101）严酷环境而生，确保在-55°C至175°C的结温范围内稳定工作，为您的产品注入全天候、全场景的可靠基因。其创新的PowerFlat（5x6）封装，在提供卓越散热性能的同时，大幅节省了宝贵的PCB空间，让高功率密度设计不再是难题。

选择STL105N4LF7AG，就是选择了一份从容与自信。您无需在性能、尺寸和可靠性之间再做艰难取舍。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更迅捷，效率曲线更优。面对复杂的供应链，通过值得信赖的ST芯片代理获取这颗明星产品，不仅能确保原装正品和稳定供应，更能获得专业的技术支持，让您的产品从设计到量产一路畅通。现在就拥抱STL105N4LF7AG，让它成为您下一代高性能设计的基石，共同开启能效新纪元。

• 型号:STL105N4LF7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 105A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):105A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:94W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购STL105N4LF7AG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能同时征服高电流与高效率挑战的功率开关吗？STL105N4LF7AG正是您的理想答案。这颗采用先进STripFET F7技术的N沟道MOSFET，拥有40V的漏源电压和高达105A的连续电流承载能力，而其导通电阻最低仅4.5毫欧，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它专为汽车级可靠性设计，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保在恶劣环境下稳定运行。创新的PowerFlat封装兼具出色的散热性能与紧凑的占板面积，轻松助您实现高功率密度的小型化设计。无论是优化开关速度、提升系统能效，还是增强产品可靠性，STL105N4LF7AG都能让您的设计脱颖而出。