STL10N3LLH5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL10N3LLH5技术参数详情：

在追求极致效率的电源管理设计中，您是否曾为寻找一款既能承载高电流又具备出色热性能的MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来一个令人振奋的解决方案STL10N3LLH5。这款来自意法半导体STripFET V家族的N沟道功率MOSFET，以其卓越的性能重新定义了30V应用场景下的能效标准。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在紧凑的无人机电调、高密度的服务器主板或是对效率锱铢必较的便携式储能设备中，STL10N3LLH5正发挥着核心作用。它高达9A的连续漏极电流承载能力和低至19毫欧的导通电阻，意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。这直接转化为更长的设备运行时间、更稳定的系统性能以及更简化的散热设计。无论是同步整流、电机驱动还是负载开关，它都能游刃有余，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

选择STL10N3LLH5，就是选择了一份可靠与高效。其采用先进的PowerFlat 3.3x3.3封装，在提供强大功率处理能力的同时，保持了极小的占板面积，完美契合现代电子产品小型化的趋势。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度，进一步降低了开关损耗，提升了整体系统频率和响应能力。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）则赋予了它应对各种严苛环境挑战的底气。当您需要稳定可靠的供应链与技术支持时，我们的ST芯片代理服务将全程为您保驾护航，确保您能轻松获取这颗性能尖兵，并快速将其价值转化为您的产品优势。

型号:STL10N3LLH5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（3.3x3.3）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±22V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:2W（Ta），50W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在为电源路径上的效率瓶颈而困扰吗？STL10N3LLH5 N沟道MOSFET正是为您的高效设计而生。它能让您轻松驾驭高达9A的电流，同时凭借其惊人的低导通电阻（最低19毫欧），大幅削减传导损耗，将更多电能精准输送到负载端，而非浪费在发热上。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的DC-DC转换器、电机驱动或负载开关电路运行得更凉、更快、更可靠。其优化的栅极驱动特性（仅需4.5V即可实现低导通）和超低的栅极电荷，让开关动作干净利落，显著提升系统频率和响应速度。采用节省空间的PowerFlat封装，它帮助您在追求功率密度的道路上扫清障碍，是打造下一代紧凑型、高性能电子设备的理想选择。