STL10N60M2 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL10N60M2技术参数详情：

当您需要一款能在高压环境下稳定运行，同时又能兼顾效率与可靠性的功率器件时，您会如何选择？答案或许就藏在STL10N60M2这颗来自ST意法半导体的杰出产品中。它不仅仅是一个MOSFET，更是您构建高效、紧凑型电源系统的得力助手，其背后凝聚的MDmesh II Plus技术，意味着更低的导通损耗和更出色的开关性能，直接为您的终端产品带来能效的提升和热管理的简化。

这颗芯片的应用舞台极为广阔，无论是您正在设计的服务器电源、工业电机驱动，还是对空间和效率都极为苛刻的LED照明驱动和适配器，它都能游刃有余。600V的漏源电压和5.5A的连续漏极电流，赋予了它从容应对主流离线式开关电源拓扑结构的能力。其表面贴装的PowerFlat HV封装，不仅大幅节省了宝贵的PCB空间，更优化了散热路径，让您的设计在追求小型化的同时，无需为温升问题而妥协。通过与可靠的ST代理商合作，您可以轻松获得这颗性能与封装工艺俱佳的器件，确保供应链的顺畅与品质的纯正。

选择STL10N60M2，就是选择了一份经过市场验证的安心。尽管其零件状态已标注为停产，但这恰恰说明了它是一款经典且成熟的设计选择，拥有大量的成功应用案例和可参考的设计资源。其10V的标准驱动电压易于控制，而低至13.5nC的栅极电荷和仅为660毫欧的导通电阻，共同确保了开关过程快速、干净，系统整体损耗得以有效降低。这意味着您的产品不仅能轻松满足日益严格的能效法规，更能凭借出色的可靠性和稳定性，在激烈的市场竞争中赢得用户的长期信赖。

型号:STL10N60M2
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（5x6）HV
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT56
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:660 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:48W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在为高压电源设计的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STL10N60M2来为您提供高效的解决方案。这颗采用先进MDmesh II Plus技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和5.5A的电流能力，其核心价值在于极低的导通电阻和栅极电荷，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源系统运行得更凉爽、更高效。

它采用节省空间的PowerFlat HV封装，非常适合您对高功率密度和紧凑布局的追求。这颗芯片能让您轻松应对反激式、正激式等主流拓扑，是设计高性能适配器、LED驱动和工业电源的理想选择。选择它，就是为您的产品注入了ST意法半导体在功率器件领域的深厚技术底蕴与可靠性保障。