STL110NS3LLH7 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL110NS3LLH7技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否曾为寻找一款既能承载大电流又具备超低导通损耗的功率开关而困扰？现在，答案就在眼前。意法半导体推出的STL110NS3LLH7，正是为满足您对高效率、高功率密度的严苛要求而生。它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升产品性能、降低系统热损耗、赢得市场竞争力的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、高密度DC-DC转换器或电动工具的动力系统中，每一瓦的损耗都意味着效率的降低和散热成本的增加。STL110NS3LLH7凭借其惊人的3.4毫欧超低导通电阻，在高达120A的连续电流下，能将导通损耗降至极低水平，让宝贵的电能更多地转化为有效输出，而非无谓的热量。其采用的先进STripFET H7技术，确保了在紧凑的PowerFlat封装内实现卓越的功率处理能力，让您的设计在空间受限的情况下依然游刃有余。

选择STL110NS3LLH7，就是选择了一份可靠与高效。它高达30V的漏源电压和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，赋予了其强大的环境适应性和鲁棒性，无论是应对严苛的工业环境还是瞬间的电流冲击，都能稳定如一。其优化的栅极电荷特性，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用，让您的电源系统响应更迅捷，整体能效再上一个台阶。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道，我们的官方ST代理将为您提供全面的技术支持和供应链保障。

从数据中心到新能源领域，从高端消费电子到自动化设备，STL110NS3LLH7以其卓越的性能参数，正成为工程师们实现创新设计、突破效率瓶颈的首选功率器件。它不仅仅解决了当下的技术挑战，更以前瞻性的性能，为您的下一代产品注入了强大的竞争力。拥抱这份高效与可靠，让STL110NS3LLH7成为您产品成功背后的强大推力。

型号:STL110NS3LLH7
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（5x6）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 120A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.4 毫欧 @ 14A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.7 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2110 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:4W（Ta），75W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在为功率转换系统的效率瓶颈而烦恼吗？让STL110NS3LLH7来为您破局！这颗来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，是专为 demanding 应用打造的高效开关核心。它拥有120A的大电流承载能力和低至3.4毫欧的导通电阻，能显著降低您系统中的传导损耗，直接提升整体能效，让热量更少，输出更强劲。

得益于先进的STripFET H7技术和紧凑的PowerFlat封装，它让您在有限的空间内也能实现高功率密度设计。无论是进行高频开关，还是需要应对严苛的温度环境（-55°C至150°C），它都能稳定可靠地工作，确保您的电源管理、电机驱动或负载开关应用高效、流畅地运行。选择它，就是为您的产品选择了一份高效与安心。