STL11N4LLF5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL11N4LLF5技术参数详情：

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？想象一下，一颗能够同时实现高效率开关和超小占板面积的MOSFET，将如何为您的产品注入新的竞争力。这正是STL11N4LLF5所带来的核心价值。作为ST意法半导体STripFET V家族的杰出代表，它凭借N沟道技术和先进的PowerFlat封装，将高性能与微型化完美融合，专为应对现代电子设备对功率密度和热管理的严苛挑战而生。

无论是需要高效DC-DC转换的便携式设备、对空间极其敏感的汽车辅助系统模块，还是要求快速响应和低损耗的电机驱动控制单元，STL11N4LLF5都能游刃有余。其40V的漏源电压和高达11A的连续漏极电流，为各类中低压、中电流应用提供了坚实的功率开关基础。更关键的是，其极低的导通电阻（典型值仅9.7毫欧）意味着更少的导通损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统整体效率，让您的终端产品在续航和可靠性上脱颖而出。

选择STL11N4LLF5，就是选择了一份经过市场验证的卓越与稳定。尽管其零件状态已标注为停产，但这恰恰证明了其经典与成熟，在大量现有设计和备货需求中依然拥有不可替代的地位。其4.5V的低驱动电压门槛，使其能与多种逻辑电平轻松接口，简化驱动电路设计。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）则确保了它在各种恶劣环境下都能稳定工作。当您需要为经典设计寻找可靠供应或优化BOM成本时，联系专业的ST一级代理将是获取正品货源和专业技术支持的最佳途径。这颗芯片不仅仅是一个组件，更是您提升产品功率性能、实现设计小型化目标的强大助力。

型号:STL11N4LLF5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（3.3x3.3）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 40V 11A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.7 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.9 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1570 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:2.9W（Ta），50W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在寻找一颗能兼顾强劲动力与精巧身姿的功率开关吗？STL11N4LLF5正是为您而来的解决方案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有40V/11A的稳健规格，其核心魅力在于极低的导通电阻（典型值9.7毫欧@10V），能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉、更高效。

它采用先进的PowerFlat（3.3x3.3）封装，在提供高达50W（Tc）散热能力的同时，占板面积却极小，完美解决您对高功率密度和紧凑布局的双重需求。无论是同步整流、负载开关还是电机控制，STL11N4LLF5都能以出色的热性能和快速的开关响应，助您轻松提升系统整体能效与可靠性。