STL11N6F7 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL11N6F7技术参数详情：

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为功率密度与散热效率的平衡而苦恼？想象一下，一颗能够轻松驾驭60V电压、承载11A电流的开关器件，却能被封装在仅有3.3x3.3毫米的纤薄身躯里这并非遥不可及的构想，而是STL11N6F7为您带来的现实。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是意法半导体STripFET技术家族的杰出代表，旨在以更低的导通损耗和卓越的热性能，彻底革新您的功率转换体验。

无论是需要高效同步整流的DC-DC转换器，还是对空间极其敏感的便携式设备中的负载开关，甚至是电机驱动中的精密PWM控制，STL11N6F7都能游刃有余。其低至12毫欧的导通电阻（Rds(on)）意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更长的电池续航和更低的系统温升。而PowerFlat封装不仅节省了宝贵的PCB面积，其卓越的散热特性更能确保芯片在严苛环境下稳定输出高达48W的功率，让您的产品在激烈的市场竞争中凭借可靠性与高效能脱颖而出。

选择STL11N6F7，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它继承了意法半导体在功率半导体领域数十年的深厚积淀，其稳定的性能参数和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）是应对各种复杂应用场景的坚实保障。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和出色的性能使其依然是许多经典和特定应用方案的理想之选。为了确保您能顺利获取这颗性能“老兵”并得到专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST中国代理进行咨询与采购，他们将为您提供可靠的货源与全面的服务，让您的产品开发之路畅通无阻。

型号:STL11N6F7
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（3.3x3.3）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1035 pF @ 30 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:2.9W（Ta），48W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
封装/外壳:8-PowerVDFN
现在可以订购STL11N6F7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能同时满足高效率、小体积与强驱动需求的功率开关吗？STL11N6F7正是为您而来的解决方案。这颗采用先进STripFET技术的N沟道MOSFET，拥有60V的耐压和11A的连续电流能力，而其核心魅力在于极低的导通电阻（仅12毫欧@10V）和微小的PowerFlat封装，能显著降低开关损耗和温升，让您的电源设计轻松实现更高的功率密度和能效。

它专为优化开关性能而生，极低的栅极电荷（17nC）和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更迅捷，整体运行更高效。无论是用于同步整流、电机控制还是负载管理，STL11N6F7都能以稳定可靠的表现为您的产品注入强劲动力。