STL120N4F6AG

在追求极致能效的电力转换世界中，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一款能在高频开关应用中保持低温、高效运行的功率器件，将如何彻底改变您的电源设计。今天，我们为您带来的STL120N4F6AG，正是这样一款源自意法半导体STripFET F6技术的杰作，它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升产品竞争力的强大引擎。

这颗芯片天生为高效而生。其低至3.6毫欧的导通电阻，意味着在高达55A的连续电流下，导通损耗被压缩到极致，更多的电能被有效传递，而非转化为无谓的热量。配合优化的栅极电荷，它能让您的开关电源、电机驱动或DC-DC转换器以更高的频率运行，同时保持出色的温升表现。无论是车载充电器、电动工具还是工业自动化设备，STL120N4F6AG都能轻松融入，提供稳定可靠的功率开关解决方案，让您的终端产品在能效和可靠性上脱颖而出。

选择STL120N4F6AG，就是选择了一份来自顶级供应链的安心与高效。它符合严苛的汽车级AEC-Q101标准，确保了在极端环境下的长久耐用性，这背后是意法半导体深厚的技术积淀。其先进的PowerFlat 5x6封装不仅提供了优异的散热性能，还极大地节省了宝贵的PCB空间，让您的设计更加紧凑。当您需要稳定、优质的货源和专业的技术支持时，我们的ST一级代理身份确保了从样品到批量供应的全程无忧服务。立即采用STL120N4F6AG，让它成为您下一款明星产品的“心脏”，驱动无限可能。

• 型号:STL120N4F6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 55A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:63 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:96W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在为功率器件的效率和体积发愁吗？STL120N4F6AG将彻底改变您的看法。这颗来自意法半导体的40V N沟道MOSFET，凭借其极低的3.6毫欧导通电阻和优化的动态特性，能显著降低开关和导通损耗，让您的电源或电机驱动方案效率更高、发热更少。

它采用紧凑的PowerFlat封装，在节省电路板空间的同时，提供了出色的散热能力。无论是开发高功率密度的车载充电器、高效的DC-DC转换器，还是强劲的电动工具，它都能让您轻松实现高性能、高可靠性的设计目标，助您的产品在市场中赢得先机。