STL130N6F7

在追求极致能效的电力转换世界里，您是否还在为功率损耗和散热问题而妥协？想象一下，一个能承载130A强大电流的开关，其导通电阻却低至惊人的3.5毫欧，这意味着在每一次开关动作中，宝贵的电能被更多地转化为有用功，而非恼人的热量。这正是STL130N6F7带来的变革性体验，它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升系统整体效率、迈向绿色设计的得力引擎。

这颗源自意法半导体先进STripFET F7家族的N沟道功率器件，天生就是为高效、紧凑的应用而生。无论是服务器和数据中心里要求严苛的DC-DC电源模块，还是新能源领域中蓬勃发展的车载充电机(OBC)和电机驱动，甚至是不断追求轻量化与长续航的电动工具，它都能游刃有余。其高达60V的漏源电压和130A的连续电流能力，为系统提供了坚实的功率基础，而极低的栅极电荷和输入电容，则确保了超快的开关速度，让您的电源拓扑设计可以运行在更高的频率，从而显著减小外围磁性元件的体积和成本。

选择STL130N6F7，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的可靠承诺。其采用的PowerFlat（5x6）封装，在提供卓越散热性能的同时，极大地节省了宝贵的PCB空间，非常适合高功率密度设计。宽广的-55°C至175°C结温工作范围，赋予了产品无与伦比的环境适应性和可靠性。当您需要将这份顶尖性能快速、稳妥地集成到您的产品中时，可以信赖专业的ST中国代理，他们能提供从技术选型到供应链支持的全方位服务。让STL130N6F7成为您下一个爆款产品的“心脏”，它将用持续的高效与稳定，为您赢得市场的掌声。

• 型号:STL130N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购STL130N6F7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为电源设计的效率瓶颈和散热挑战寻找突破口吗？STL130N6F7就是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有130A的强大电流处理能力和低至3.5毫欧的导通电阻，能显著降低开关损耗，让您的电源系统运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的STripFET F7技术和紧凑的PowerFlat封装，不仅开关速度迅捷，更能节省宝贵的电路板空间。无论是提升服务器电源的能效，还是强化电动工具的爆发力，它都能让您轻松实现更高功率密度和更可靠的设计，助您的产品在竞争中脱颖而出。