STL130N8F7

在追求极致效率的电力转换世界中，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协性能？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体的新一代功率器件明星STL130N8F7，它不仅仅是一颗MOSFET，更是您提升系统能效、实现设计突破的强力引擎。凭借其革命性的低导通电阻与卓越的开关特性，它能将能量损耗降至新低，让每一瓦电力都物尽其用，为您的产品注入澎湃而高效的动力核心。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、高密度DC-DC转换器或是新能源车载充电系统中，STL130N8F7正大显身手。其80V的耐压和高达130A的连续电流承载能力，轻松应对严苛的负载波动。先进的STripFET VII技术与DeepGATE结构，确保了在10V驱动下仅3.6毫欧的超低导通电阻，这意味着更少的热量产生和更高的整体效率。无论是需要频繁开关的变频应用，还是追求持续大电流输出的稳定场景，它都能以出色的稳定性和可靠性，确保系统长时间高效、冷静运行。

选择STL130N8F7，就是选择了一份经得起未来考验的保障。其PowerFlat（5x6）封装不仅节省了宝贵的PCB空间，更优化了散热路径，结合高达175°C的结温工作能力，让您的设计在紧凑与高性能之间无需再做取舍。极低的栅极电荷（96nC）显著降低了驱动损耗，让开关速度更快，系统响应更敏捷。当您需要可靠、高性能的功率解决方案时，选择由专业ST芯片代理提供的正品STL130N8F7，无疑是迈向成功产品的最明智一步。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、赢得市场的关键伙伴。

• 型号:STL130N8F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:96 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6340 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:135W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购STL130N8F7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找那颗能兼顾大电流、低损耗与高可靠性的“心脏”吗？STL130N8F7正是为您而来。这颗采用先进STripFET VII技术的N沟道MOSFET，拥有80V耐压和130A的强大电流处理能力，其核心魅力在于惊人的低导通电阻（仅3.6毫欧），能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它能让您轻松驾驭高功率密度设计。超低的栅极电荷和优化的动态特性，确保了快速、干净的开关行为，极大减少了开关损耗，提升整体能效。无论是用于服务器电源、工业自动化设备，还是新能源车载充电，STL130N8F7都能提供稳定可靠的性能，助您简化热管理设计，并凭借其紧凑的PowerFlat封装，为您的产品节省宝贵空间，实现性能与体积的双重飞跃。