STL13DP10F6

当您的下一个设计项目需要同时兼顾高功率密度与卓越的能效表现时，您是否已经找到了那颗能够一锤定音的核心器件？今天，我们为您带来一个令人振奋的答案STL13DP10F6。这款来自ST意法半导体的双P沟道功率MOSFET，以其突破性的性能参数，正在重新定义紧凑型电源与电机驱动方案的性能边界。它不仅仅是一个组件，更是您实现产品差异化、赢得市场竞争的有力武器。

想象一下，在空间极其有限的智能家居网关内部，需要高效、安静地驱动散热风扇并管理多路电源轨；或者在紧凑的无人机电调中，要求以极低的损耗精准控制无刷电机的正反转与制动。STL13DP10F6正是为这些挑战而生的。它集成了两个逻辑电平驱动的P沟道MOSFET，采用先进的PowerFLAT 5x6封装，在指甲盖大小的面积内提供了100V的耐压和高达13A的连续电流能力。其超低的180毫欧导通电阻（RDS(on)）意味着更少的导通损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统效率，让您的终端产品运行更凉爽、续航更持久。

选择STL13DP10F6，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的可靠保障。它继承了STripFET VI和DeepGATE技术的优良基因，确保了开关性能与稳健性的完美平衡。高达62.5W的功率处理能力和宽广的-55°C至150°C结温工作范围，使其能够从容应对工业环境中的严苛挑战。无论是用于DC-DC转换器中的同步整流和负载开关，还是电池保护电路、电机驱动H桥，这颗芯片都能让您的设计如虎添翼。如果您正在寻找稳定可靠的供货与技术支援，我们作为资深的ST芯片代理，将为您提供从样品到量产的全方位支持。现在就采用STL13DP10F6，释放您设计的全部潜能，打造出更高效、更紧凑、更具市场竞争力的下一代电子产品。

• 型号:STL13DP10F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 100V 13A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:100V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 1.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:864pF @ 25V
• 功率 - 最大值:62.5W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 现在可以订购STL13DP10F6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为寻找一颗既能节省空间又能扛起大功率的开关器件而烦恼吗？STL13DP10F6双P沟道MOSFET就是您的理想解决方案。它让您轻松实现高效率的电源管理与电机驱动，其逻辑电平门控特性可直接由微控制器驱动，简化您的电路设计。

这颗芯片能为您做什么？它凭借100V的耐压和13A的持续电流能力，成为DC-DC转换、负载开关和电机控制应用的强大心脏。超低的导通电阻和栅极电荷，确保了极低的开关损耗和温升，让您的系统运行更加高效、可靠。采用紧凑的PowerFLAT封装，极大节省了宝贵的PCB空间，是追求高功率密度设计的工程师的明智之选。