STL13N60DM2

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为散热、体积和可靠性而妥协？想象一下，一颗集高耐压、低损耗与卓越热性能于一身的功率开关，将如何彻底改变您的产品格局。现在，答案就在STL13N60DM2之中。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，凭借其600V的坚固耐压和仅370毫欧的超低导通电阻，为您打开了高效能量转换的大门。它不仅仅是参数的堆砌，更是MDmesh DM2先进技术平台的结晶，旨在将每一分电能都精准、高效地输送到需要的地方，显著降低系统运行中的能量损耗，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借出色的能效表现脱颖而出。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断追求轻薄的PC电源和LED照明驱动，STL13N60DM2都能游刃有余。其PowerFlat HV封装在提供高达52W散热能力的同时，保持了极小的占板面积，完美契合现代电子产品对高功率密度和微型化的双重需求。这意味着，您可以在更小的空间内实现更强的功率输出，同时确保系统在高达150°C结温下的稳定运行，从容应对各种严苛环境。选择它，就是为您的设备注入了持久、可靠的心脏。

为何众多领先厂商都将目光投向STL13N60DM2？因为它带来的价值远超一个单一元件。更低的栅极电荷和输入电容意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的开关电源设计轻松达到更高的频率，从而可以使用更小的磁性元件，进一步优化系统成本和体积。其卓越的性能一致性，为大规模生产提供了坚实的品质保障。当您寻求稳定可靠的供应与技术支持时，我们的合作伙伴专业的ST一级代理将为您提供从选型到量产的全方位服务。选择STL13N60DM2，不仅是选择了一颗高性能芯片，更是选择了一个能提升产品整体竞争力、降低系统总成本、并加速您产品上市进程的智能解决方案。立即行动，让它成为您下一个成功产品的强大引擎。

• 型号:STL13N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:370 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:730 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:52W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购STL13N60DM2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能同时征服高电压与高效率挑战的功率开关吗？STL13N60DM2正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh DM2技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和仅8A的连续漏极电流能力，其核心魅力在于低至370毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用创新的PowerFlat HV表面贴装封装，在节省宝贵电路板空间的同时，提供了出色的散热性能。更低的栅极电荷（19nC）让开关速度更快，驱动更轻松，帮助您轻松提升系统开关频率，优化整体设计。无论是提升能效、缩小体积还是增强可靠性，STL13N60DM2都能让您的产品设计如虎添翼。