STL13NM60N

当您的下一个电源设计项目面临效率与尺寸的双重挑战时，您是否在寻找一个能同时兼顾高性能与高可靠性的解决方案？答案或许就藏在STL13NM60N这颗强大的功率开关之中。作为意法半导体MDmesh II家族的杰出代表，它不仅仅是一个参数表上的组件，更是您提升产品竞争力的秘密武器。其600V的耐压能力和高达10A的连续漏极电流，为您的系统构筑了坚实的安全屏障，而385毫欧的超低导通电阻，则意味着更少的能量在开关过程中转化为热量，直接转化为更高的系统效率和更长的运行寿命。

想象一下，在紧凑的LED驱动电源内部，或者在要求严苛的工业开关电源中，空间总是弥足珍贵。STL13NM60N采用的先进PowerFlat HV封装，以其纤薄的轮廓和卓越的散热性能，完美解决了高功率密度设计的散热难题，让您的产品在保持小巧身形的同时，也能冷静应对大电流的考验。无论是服务器电源、光伏逆变器，还是电机驱动和PFC（功率因数校正）电路，它都能游刃有余，成为系统高效、稳定运行的核心动力源泉。

选择STL13NM60N，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。意法半导体的MDmesh II技术确保了极低的开关损耗和出色的动态特性，30nC的低栅极电荷让驱动电路设计更为轻松，进一步优化整体性能。这意味着您不仅能缩短开发周期，更能显著降低系统的总拥有成本。为确保您获得100%原装正品与全面的技术支持，我们强烈建议您通过官方ST授权代理进行采购。让STL13NM60N为您的创意注入强劲而高效的能量，共同开启电源设计的新篇章。

• 型号:STL13NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:385 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta），90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• 现在可以订购STL13NM60N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为如何平衡电源系统的高效率与小体积而烦恼吗？让STL13NM60N来为您分忧！这颗基于先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V/10A的强劲开关能力，其超低的385毫欧导通电阻能显著减少导通损耗，直接提升您的整机效率，让能量转换更加“冷静”高效。

它采用创新的PowerFlat HV封装，不仅节省宝贵的PCB空间，更能实现出色的散热性能，轻松应对高功率密度设计的挑战。无论是用于开关电源、电机驱动还是照明系统，STL13NM60N都能让您的设计更紧凑、运行更可靠，助您快速打造出具有市场竞争力的优质产品。