STL140N4LLF5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL140N4LLF5技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换世界，您是否还在为功率损耗和散热问题而妥协？想象一下，一个能同时承载140A强大电流，却将导通电阻压至仅2.75毫欧的解决方案，这不仅仅是参数的提升，更是系统性能的质变。这正是STL140N4LLF5带来的核心价值它重新定义了40V级别N沟道MOSFET的效率边界，让您的设计摆脱不必要的能量浪费，将每一分电力都精准地转化为驱动力量。

无论是服务器电源中要求严苛的同步整流，还是电动工具里需要瞬间爆发大电流的电机驱动，甚至是新能源车车载充电器(OBC)和DC-DC转换模块，STL140N4LLF5都能游刃有余。其采用的先进STripFET V技术，确保了在高达150°C的结温下依然稳定工作，赋予了产品无与伦比的可靠性和环境适应性。这意味着，您的终端设备可以在更紧凑的空间内，实现更强大的功率输出和更长的使用寿命，直接提升了产品的市场竞争力。

选择STL140N4LLF5，就是选择了一种经过验证的高性能路径。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）显著降低了开关损耗，让高频开关应用变得轻松高效，同时简化了驱动电路的设计。其PowerFlat 5x6封装不仅提供了优异的散热性能，还最大限度地节省了宝贵的PCB空间，非常适合高密度布局。当您寻求稳定可靠的供货和技术支持时，可以通过专业的ST代理商获取这颗芯片，他们将为您从选型到量产提供全程护航。让STL140N4LLF5成为您下一代高能效、高功率密度设计的基石，开启性能与可靠性的全新篇章。

型号:STL140N4LLF5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（5x6）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 40V 140A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:最后售卖
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):140A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.75 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±22V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5900 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:80W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在寻找那颗能完美平衡大电流与低损耗的“心脏”吗？STL140N4LLF5正是为您的高效电源和电机驱动方案而生。这颗采用STripFET V技术的N沟道MOSFET，拥有40V耐压和高达140A的连续电流能力，而其惊人的2.75毫欧超低导通电阻，能直接为您大幅降低导通损耗，提升整体系统效率。

它能让您轻松应对高频开关挑战。极低的栅极电荷和输入电容意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的电源设计在追求高频率的同时，无需为热管理过分担忧。无论是同步整流、电机控制还是各类DC-DC转换，STL140N4LLF5都能提供强劲、凉爽且可靠的功率开关性能，助您打造出更具市场竞争力的产品。