STL140N6F7 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL140N6F7技术参数详情：

您是否正在为下一代高功率密度设计寻找那颗既能承载大电流，又能将损耗和温升降至最低的“心脏”级功率开关？答案或许就藏在STL140N6F7之中。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其高达145A的连续漏极电流和仅2.5毫欧的超低导通电阻，重新定义了60V电压等级下的效率边界。它不仅仅是一个组件，更是您释放系统潜能、挑战性能极限的关键钥匙。

想象一下，在您的服务器电源单元里，电流如洪流般通过，STL140N6F7以其卓越的PowerFlat封装和STripFET VII技术，将开关损耗和导通损耗双双压制，让整个电源模块即使在满负荷运行时也能保持冷静与高效。在电机驱动领域，无论是迅猛的电动工具还是精密的工业机器人，其快速的开关特性和高可靠性确保了控制响应既精准又强劲。而对于不断追求轻量化与小体积的汽车车载充电器(OBC)和DC-DC转换器来说，它紧凑的5x6毫米封装与强大的功率处理能力，正是实现高功率密度设计的理想基石。

选择STL140N6F7，意味着您选择了一种经过市场验证的卓越性能与可靠性的结合。其DeepGATE技术确保了更稳健的栅极控制和更宽的安全工作区，而高达175°C的结温则提供了充足的设计余量，从容应对各种严苛环境。当您与值得信赖的ST一级代理合作时，您获得的将不仅是这颗顶尖的芯片，还有稳定的供货保障、专业的技术支持以及完整的解决方案，让您的产品从蓝图到量产一路畅通。这不仅仅是一次元器件选型，更是一次为您的产品注入持久竞争力与市场吸引力的战略决策。

型号:STL140N6F7
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（5x6）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 60V 145A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):145A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），125W（Tc）
工作温度:175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在为功率转换系统的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STL140N6F7为您带来颠覆性的改变。这颗N沟道MOSFET集成了ST领先的STripFET VII与DeepGATE技术，在60V的电压平台上，为您提供高达145A的电流承载能力和惊人的2.5毫欧超低导通电阻，直接大幅降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它采用先进的PowerFlat（5x6）封装，在极小的占板面积内实现了优异的散热性能，非常适合空间受限的高密度电源设计。同时，其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）让开关速度更快，进一步减少开关损耗。无论是提升现有产品的能效等级，还是开发下一代高性能电源、电机驱动或汽车电子系统，选择它，就是选择了一条通往更高性能、更可靠运行的捷径。