STL160N4F7 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL160N4F7技术参数详情：

在追求极致效率的电力转换世界里，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一款能在高频开关中保持超低损耗，同时将功率密度推向新高的功率器件，将如何彻底改变您的电源设计。今天，我们向您介绍的正是这样一款划时代的解决方案STL160N4F7。它不仅仅是一个MOSFET，更是ST意法半导体尖端STripFET F7技术的结晶，专为那些拒绝平庸、追求巅峰性能的工程师而生。

当您面对服务器电源、高性能DC-DC转换器或电动工具驱动等严苛应用时，STL160N4F7的强大实力将一览无余。其高达120A的连续漏极电流和仅2.5毫欧的超低导通电阻，意味着在相同尺寸下，它能承载更大的功率，同时将导通损耗降至极低。这直接转化为更低的温升、更高的系统可靠性，以及可能更紧凑的散热设计。无论是应对数据中心不断增长的能耗挑战，还是提升便携式设备的续航与爆发力，它都能游刃有余，成为您系统中坚不可摧的“能量阀门”。

选择STL160N4F7，就是选择了一份面向未来的保障。其卓越的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）特性，确保了极快的开关速度和极低的驱动损耗，让您的系统频率可以更高，动态响应更迅捷。宽广的-55°C至175°C结温工作范围，赋予了它无与伦比的环境适应能力。而采用先进的PowerFlat（5x6）封装，不仅提供了优异的散热性能，还极大节省了宝贵的PCB空间。如果您正在寻找一个能同时提升效率、功率密度和可靠性的合作伙伴，STL160N4F7无疑是您的理想之选。即刻通过我们的ST中国代理获取样品与技术资料，开启您的高效电源设计新篇章。

型号:STL160N4F7
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（5x6）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2300 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:111W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在寻找那颗能同时征服效率与功率密度的“全能战士”吗？STL160N4F7正是为您而来。这颗基于STripFET F7技术的N沟道MOSFET，拥有40V的耐压和高达120A的电流处理能力，其核心魅力在于仅2.5毫欧的超低导通电阻。这意味着它能显著降低导通损耗，让您的电源模块或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

更令人振奋的是，其优化的栅极电荷和开关特性，让您能轻松实现更高频率的开关操作，从而缩小磁性元件体积，提升整体功率密度。无论是用于同步整流、电机控制还是负载开关，STL160N4F7都能以卓越的性能和可靠性，助您轻松应对设计挑战，将产品性能推向新的高度。