STL16N65M5

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为功率器件的损耗和体积所困扰？想象一下，一款能够将650V高压与出色导通性能完美结合的功率MOSFET，将如何彻底改变您的产品格局。这正是STL16N65M5带来的核心价值它不仅仅是一个组件，更是您提升系统效率、赢得市场竞争力的强大引擎。

这颗来自ST意法半导体MDmesh V家族的明星产品，天生就为高效能应用而生。其299毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），意味着在相同电流下，它能将更多的电能转化为有用功，而非令人头疼的热损耗。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断进化的电动汽车充电桩，STL16N65M5都能游刃有余地处理高达12A的连续电流，在650V的高压下稳定运行，为您的系统筑起可靠的安全屏障。其卓越的开关特性与低栅极电荷，进一步减少了开关损耗，让整体效率曲线更加亮眼。

选择STL16N65M5，就是选择了一种面向未来的设计思路。它采用的PowerFlat HV封装，在提供强大散热能力（结温高达150°C）的同时，实现了极小的占板面积，完美响应了当今电子产品轻薄化、高功率密度的迫切需求。这意味着您可以在不牺牲性能的前提下，让产品设计更加精巧，生产成本得到优化。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的ST芯片代理服务网络随时待命，确保您的创新之旅畅通无阻。让这颗凝聚尖端技术的功率芯片，成为您下一款爆品中最值得信赖的“心脏”。

• 型号:STL16N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta），90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• 现在可以订购STL16N65M5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能同时驾驭高电压与高效率的功率开关吗？STL16N65M5 N沟道MOSFET正是您的理想答案。它凭借650V的漏源电压和12A的连续电流能力，让您轻松应对工业电源、电机控制等严苛应用中的功率切换挑战。

这颗芯片的核心魅力在于其MDmesh V技术带来的极低导通损耗。仅299毫欧的导通电阻，意味着电能可以更高效地传输，显著减少发热，提升系统整体能效。同时，其优化的栅极电荷和开关特性，让您的设计在追求高速开关时也能保持稳定与低损耗。

采用先进的PowerFlat HV表面贴装封装，STL16N65M5在提供卓越散热性能（最高结温150°C）的同时，大幅节省了电路板空间。选择它，就是为您的产品注入了高效、紧凑与可靠的核心动力。