STL17N65M5

当您需要一款能在高压环境中稳定工作，同时又能为紧凑型设计节省宝贵空间的功率器件时，您会如何选择？答案或许就藏在STL17N65M5这颗卓越的功率MOSFET之中。它不仅仅是意法半导体MDmesh V系列的代表作，更是工程师应对高效能、高密度电源挑战的得力助手。凭借其650V的高耐压能力和优化的开关特性，它能显著提升系统的整体能效和可靠性，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

想象一下，在您设计的开关电源、LED驱动或小型电机控制电路中，空间总是捉襟见肘，散热问题也时常困扰着您。STL17N65M5正是为此类场景而生。它采用先进的PowerFlat HV封装，在极小的占板面积内实现了高达70W（Tc）的出色功率处理能力。这意味着您可以在不牺牲性能的前提下，将产品设计得更加纤薄、紧凑，尤其适合那些对体积和重量有严苛要求的消费电子、工业控制及家电应用。其高达150°C的结温工作能力，也为系统在恶劣环境下的稳定运行提供了坚实保障。

选择STL17N65M5，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能与可靠性。它拥有低至374毫欧的导通电阻和仅22nC的栅极电荷，这直接转化为更低的导通损耗和更快的开关速度，从而提升整体效率，减少热量产生。虽然该型号目前已停产，但其成熟的设计和出色的表现，使其在特定应用和库存替换方案中依然极具价值。如果您正在寻找可靠的供货渠道和技术支持，专业的ST代理商将是您获取这颗经典器件及相关解决方案的理想伙伴。让STL17N65M5的强大基因，为您的下一个创新项目注入高效与稳定的动力。

• 型号:STL17N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.8A（Ta），10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:374 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• 现在可以订购STL17N65M5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压小功率应用的效率和空间问题烦恼吗？STL17N65M5这颗来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，正是为您量身打造的解决方案。它能轻松应对高达650V的电压，让您的开关电源、LED驱动或辅助电源设计既安全又高效。

得益于其MDmesh V技术和PowerFlat HV紧凑封装，它不仅提供了优异的开关性能（低栅极电荷Qg）和导通特性（低Rds(on)），更能让您在极其有限的空间内实现强大的功率处理。这意味着您可以设计出更小巧、更可靠的产品，同时有效管理热耗散，确保系统长时间稳定运行。