STL180N6F7

在追求极致能效的电力电子世界里，您是否还在为功率转换系统的效率瓶颈和散热难题而困扰？想象一下，一个关键元件能将导通损耗大幅降低，让系统运行更凉爽、更持久这正是STL180N6F7为您带来的核心价值。作为意法半导体STripFET F7系列的杰出代表，这颗N沟道功率MOSFET凭借其仅为2.4毫欧的超低导通电阻（RDS(on)），在16A电流、10V驱动电压下，实现了惊人的低损耗性能。这意味着更多的电能被高效传输，更少的热量被无谓浪费，直接为您的产品提升了能效等级，延长了使用寿命，并简化了热管理设计。

它的舞台遍布各类需要高效功率开关与控制的领域。无论是服务器电源、工业电机驱动、电动工具，还是新能源车上的DC-DC转换器、电池管理系统，STL180N6F7都能游刃有余。其60V的漏源电压和高达32A（环境温度）/120A（壳温）的连续漏极电流能力，提供了坚实的功率处理基础。而PowerFlat（5x6）封装不仅节省了宝贵的PCB空间，其优异的散热特性更能确保芯片在-55°C至175°C的严苛结温范围内稳定工作，满足工业级和汽车级应用的可靠性要求。

选择STL180N6F7，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。它不仅仅是一个参数出色的MOSFET，更是意法半导体先进STripFET F7技术的结晶，在开关速度、栅极电荷（Qg仅79.5nC）与导通电阻之间取得了完美平衡，从而降低了开关损耗，提升了系统整体频率和功率密度。当您致力于打造更具市场竞争力的高效能产品时，这颗芯片将成为您设计中不可或缺的强力引擎。为确保您能获得稳定可靠的正品货源与专业技术支持，我们推荐您通过官方授权的ST一级代理进行采购，为您的项目成功保驾护航。

• 型号:STL180N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 32A/120A PWRFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A（Ta），120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:79.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4825 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），166W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购STL180N6F7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能显著提升电源效率、让设备运行更强劲持久的“心脏”吗？STL180N6F7正是这样一款高性能N沟道MOSFET。它集成了意法半导体先进的STripFET F7技术，以低至2.4毫欧的导通电阻，让电流通过时的能量损耗大幅降低，直接为您节省能源，减少发热。

这颗芯片能轻松应对高达60V电压和120A（Tc）电流的挑战，其出色的热性能（最大功耗166W Tc）和宽工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保它在严苛环境下依然稳定可靠。无论是用于电机驱动、电源转换还是负载开关，STL180N6F7都能让您的设计更高效、更紧凑，助您快速打造出性能卓越的终端产品。