STL19N60DM2

当您设计的电源系统需要在高电压下稳定运行，同时又要严格控制空间和散热时，您是否曾为寻找一颗性能与体积完美平衡的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐意法半导体的明星产品STL19N60DM2。这颗基于先进MDmesh DM2技术打造的N沟道MOSFET，正是为高效、紧凑的功率转换应用而生。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现设计目标的强大引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或太阳能逆变器的核心电路中，STL19N60DM2正以其600V的坚固耐压和高达11A的连续电流处理能力，从容应对各种严苛的电气环境。其极低的导通电阻（典型值）意味着更少的导通损耗，直接转化为更高的系统效率和更低的温升。而PowerFlat HV封装带来的超薄外形，让您能在寸土寸金的PCB上实现更高功率密度的布局，为产品的小型化、轻量化铺平道路。无论是追求极致效率的绿色能源方案，还是要求长期可靠运行的工业设备，它都能完美融入，成为电路中沉默而强大的基石。

选择STL19N60DM2，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与技术创新。MDmesh DM2结构优化了开关性能与导通电阻的平衡，让您在获得快速开关速度的同时，有效抑制电磁干扰（EMI）。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在极端环境下依然稳定如初。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的应用验证使其在特定市场和存量项目中依然极具价值。为了确保您能获得可靠的正品供应与专业的技术支持，我们强烈建议您通过授权的ST芯片代理进行采购。这不仅是获得这颗高性能芯片的捷径，更是为您的项目加上了一道品质与供应链的双保险。立即行动，让STL19N60DM2为您的下一个设计注入强劲动力！

• 型号:STL19N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• 现在可以订购STL19N60DM2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压功率开关的效率和体积发愁吗？让STL19N60DM2来为您解决！这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，集600V高耐压、11A大电流和超低导通电阻于一身，专为提升您的电源转换效率而生。

它采用先进的MDmesh DM2技术和紧凑的PowerFlat HV封装，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。同时，其小巧的体型让您轻松实现高功率密度的紧凑设计，无论是工业驱动、电源适配器还是新能源应用，都能游刃有余。

选择它，就是选择了一个经过市场验证的可靠解决方案，让您轻松应对高压、高效的功率管理挑战，加速产品上市进程。