STL21N65M5

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否还在为开关损耗与系统散热而烦恼？今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案STL21N65M5。这款来自意法半导体MDmesh V家族的N沟道高压MOSFET，以其卓越的650V耐压和仅为179毫欧的超低导通电阻，将功率密度与效率提升至全新高度，让您的设计瞬间脱颖而出。

想象一下，无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断增长的电动汽车充电桩和太阳能逆变器，STL21N65M5都能成为您系统的心脏，强劲而稳定地跳动。它高达17A的连续漏极电流承载能力，配合PowerFlat HV封装带来的优异散热性能，确保设备在严苛环境下也能持续满负荷运行，大幅延长产品寿命。这意味着，您的终端产品将拥有更低的故障率、更小的体积和更安静的工作状态，直接转化为市场上的强大竞争力。

选择STL21N65M5，就是选择了一份安心与远见。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）显著降低了开关损耗，让您的电源系统轻松突破能效瓶颈，满足甚至超越全球最严格的能效标准。同时，高达150°C的结温工作能力，为您的设计提供了充裕的热安全边际。当您需要可靠的原厂技术支持与稳定的供货保障时，我们的ST授权代理团队将全程为您服务，从选型到量产，助您一路畅行。立即采用STL21N65M5，不仅仅是升级一个元件，更是为您的下一个爆款产品注入强大的性能基因。

• 型号:STL21N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 17A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:179 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta），125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• 现在可以订购STL21N65M5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找那颗能兼顾高效率与高可靠性的高压开关核心吗？STL21N65M5正是您期待的答案。这颗采用先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和仅179毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它高达17A的电流处理能力和优化的动态特性，让您轻松应对严苛的功率转换任务。无论是提升功率密度还是简化散热设计，STL21N65M5都能助您一臂之力，是打造下一代高性能、高可靠性电力电子设备的理想选择。