STL220N6F7

想象一下，您的下一代电源系统或电机驱动方案，能否在更小的空间内，承载更大的电流，同时将能量损耗降至前所未有的低水平？这正是STL220N6F7为您带来的核心价值。作为意法半导体STripFET F7系列中的明星产品，这颗N沟道功率MOSFET以其仅1.4毫欧的超低导通电阻和高达120A的连续漏极电流，重新定义了高效率与高功率密度的边界。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升产品性能、赢得市场竞争力的关键引擎。

无论是面对日益严苛的电动汽车车载充电器、高密度服务器电源，还是要求快速响应的工业电机驱动和自动化设备，STL220N6F7都能游刃有余。其60V的漏源电压和优化的栅极电荷特性，确保了在频繁开关的工况下依然保持极低的开关损耗和温升。这意味着您的设备可以运行得更凉爽、更持久，系统可靠性得到显著增强。选择它，就是为您的应用注入一股强劲而稳定的动力源泉。

为何众多领先的设计师都将目光投向STL220N6F7？答案在于它卓越的综合性能与封装优势。采用先进的PowerFlat（5x6）封装，它在提供强大电流处理能力的同时，大幅节省了宝贵的PCB空间，非常适合空间受限的现代电子设计。其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）更能适应各种苛刻环境。当您追求极致的效率、紧凑的布局和可靠的品质时，这颗芯片无疑是最明智的选择。我们作为专业的ST授权代理，不仅能为您提供正品保障与现货支持，更能带来深度的技术服务和选型指导，助您将这颗芯片的潜力发挥到极致，快速将创新构想转化为市场领先的产品。

• 型号:STL220N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），187W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购STL220N6F7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为电源转换效率瓶颈或电机驱动发热问题而烦恼吗？让STL220N6F7为您带来颠覆性的解决方案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有惊人的1.4毫欧超低导通电阻和120A大电流承载能力，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。

它采用紧凑的PowerFlat封装，帮助您轻松实现高功率密度设计。优异的开关特性与宽广的工作温度范围，确保其在服务器电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用中表现稳定可靠。选择STL220N6F7，就是选择让您的产品在性能与能效上脱颖而出。