STL23NM60ND - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL23NM60ND技术参数详情：

当您在设计下一款高效能电源或电机驱动方案时，是否曾为功率器件的效率瓶颈和散热难题而困扰？想象一下，一颗能在600V高压下稳定输出近20A电流，同时将导通损耗降至极低的功率MOSFET，将如何彻底改变您的产品性能格局。今天，我们向您隆重介绍意法半导体FDmesh II家族的杰出代表STL23NM60ND，它正是为破解这些核心挑战而生。

这款N沟道MOSFET绝非普通功率开关。其核心价值在于FDmesh II超结技术的深度赋能，实现了导通电阻与栅极电荷之间的卓越平衡。180毫欧的超低Rds(on)意味着在10A电流下，导通损耗被大幅削减，更多电能被高效转化为有用功，而非令人头疼的热量。同时，仅70nC的栅极电荷让开关速度更快，开关损耗显著降低，特别适合高频开关电源应用。无论是服务器电源、工业电机驱动、UPS不间断电源，还是高要求的照明镇流器，STL23NM60ND都能游刃有余，确保系统在高效、低温、稳定的状态下长时间运行。

选择STL23NM60ND，就是选择了一份可靠性与高性能的双重保障。其600V的漏源电压提供了充裕的电压余量，有效抵御线路浪涌，增强系统鲁棒性。表面贴装的PowerFlat 8x8 HV封装不仅节省了宝贵的PCB空间，其优异的散热特性更能将芯片结温产生的热量快速导出，结合高达150°C的结温工作能力，让您的设计从容应对严苛环境。虽然该型号已进入停产状态，但通过正规的ST代理渠道，您依然可以获取高质量的库存或找到完美的升级替代方案，确保项目供应链的稳定与延续。让这颗凝聚尖端技术的功率芯片，成为您打造下一代高竞争力产品的秘密武器。

型号:STL23NM60ND
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（8x8）HV
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 19.5A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:3W（Ta），150W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
封装/外壳:4-PowerVDFN
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还在寻找一颗能同时驾驭高压、大电流与高效率的功率开关吗？STL23NM60ND正是您的理想答案。这颗来自ST意法半导体FDmesh II家族的N沟道MOSFET，拥有600V耐压和19.5A的连续电流能力，专为 demanding 的功率转换场景而设计。

它的核心使命是让您的系统运行得更“冷”、更高效。凭借仅180毫欧的超低导通电阻，它能显著减少导通损耗；配合优化的70nC栅极电荷，又能大幅降低开关损耗。这意味着，无论是开关电源、电机驱动还是PFC电路，它都能帮助您提升整体能效，减少散热设计压力。其PowerFlat封装更易于布局和散热，让您轻松实现高功率密度与可靠性的完美平衡。