STL26N30M8 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL26N30M8技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？当300V的电压平台需要承载23A的连续电流时，选择一款兼具低导通电阻与快速开关性能的MOSFET，往往是决定系统成败的关键。现在，答案已经揭晓来自ST意法半导体MDmesh M8家族的明星产品STL26N30M8，正是为突破此类瓶颈而生。它不仅仅是一个功率开关，更是您提升产品竞争力、实现设计自由的强大引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明镇流器中，能量以极高的频率进行转换。每一次开关动作都伴随着损耗，而损耗直接转化为热量和效率的降低。STL26N30M8凭借其先进的MDmesh M8技术，将导通电阻（Rds(on)）在10V驱动下控制在极低的89毫欧水平，这意味着在相同的电流下，其产生的导通损耗显著减少，让您的系统运行得更“冷静”，效率自然大幅攀升。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速且干净的开关切换，进一步降低了开关损耗，让高频高效运行不再是难题。

这款芯片的价值远不止于参数表。其紧凑的PowerFlat 5x6封装，在节省宝贵PCB空间的同时，提供了卓越的散热性能，最高支持114W的功率耗散（Tc），让高功率密度设计成为可能。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，赋予了它应对严苛工业环境与复杂工况的非凡鲁棒性。无论您是在设计新一代的通信设备电源、高性能焊接设备，还是可靠的电动汽车车载充电器，STL26N30M8都能成为您电路中值得信赖的“能量阀门”。

那么，在众多选择中，为何最终锁定STL26N30M8？因为它精准地平衡了性能、可靠性与成本。它代表了ST在功率半导体领域深厚的技术积淀，MDmesh结构带来的低Rds(on)*Area优值，是高效能的保证。选择它，就是选择了一份经过市场验证的卓越与稳定。如果您正在寻找可靠的技术伙伴与供货渠道，专业的ST芯片代理将为您提供从选型支持到稳定供应链的全方位服务。立即采用STL26N30M8，让它为您的下一个电源或电机驱动项目注入强劲动力，轻松实现效率飞跃与系统升级！

型号:STL26N30M8
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（5x6）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 300V 23A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:89 毫欧 @ 11.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1430 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:114W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
封装/外壳:8-PowerVDFN
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您是否希望为您的电源或电机控制设计找到一颗既能“扛得住”高压大电流，又能“跑得快”降低损耗的核心开关？STL26N30M8正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh M8技术的N沟道MOSFET，拥有300V的耐压和高达23A的连续电流处理能力，其核心价值在于极低的89毫欧导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。

同时，它优化的栅极电荷和电容特性确保了快速干净的开关性能，有效降低开关损耗，特别适合高频开关应用。采用紧凑的PowerFlat封装，既节省空间又强化散热，让您轻松实现高功率密度设计。选择它，就是为您的产品选择了可靠的能效基石与强大的市场竞争力。