STL26N60DM6

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源系统是否还在为开关损耗和散热空间而妥协？让我们为您带来一个颠覆性的解决方案。意法半导体MDmesh DM6系列的最新力作STL26N60DM6，正是为破解这一难题而生。它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升产品竞争力、实现高效可靠运行的强大引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明系统中，每一次开关都意味着能量的转换与损耗。STL26N60DM6凭借其先进的超结技术，将导通电阻（RDS(on)）与栅极电荷（Qg）实现了前所未有的优化平衡。这意味着更低的传导损耗和开关损耗，直接转化为更高的系统效率和更低的温升。其600V的漏源电压和15A的连续电流能力，为您的设计提供了坚实的功率基础，轻松应对严苛的工业环境挑战。

当您需要将强大性能装入日益紧凑的空间时，STL26N60DM6的PowerFlat HV封装展现了巨大优势。这种创新的8x8表面贴装封装，不仅提供了卓越的散热性能，还极大地节省了PCB板面积，让您的设计在功率密度上实现飞跃。无论是追求高可靠性的电信基础设施，还是对体积敏感的消费类快充产品，它都能完美融入，成为系统核心的可靠基石。选择它，就是选择了一份来自ST原厂的品质保证，通过我们的ST授权代理，您还能获得专业的技术支持和稳定的供货渠道。

为何众多工程师在众多600V MOSFET中独钟于此？答案在于其带来的综合价值。更低的损耗意味着更少的散热需求，可能直接帮您省去一个风扇或简化散热片设计，从而降低整体BOM成本和系统复杂度。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在极端条件下的稳定运行，大幅提升了产品的耐用性和市场口碑。从原型设计到量产，STL26N60DM6都能提供一致的高性能，助您加速产品上市，在激烈的市场竞争中率先赢得先机。

• 型号:STL26N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:215 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• 现在可以订购STL26N60DM6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？STL26N60DM6 N沟道功率MOSFET正是您期待的答案。它基于意法半导体先进的MDmesh DM6技术，为您带来600V/15A的强悍功率处理能力，同时将导通损耗和开关损耗降至新低，让您的电源设计轻松实现更高能效。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的高压开关电源、电机驱动或PFC电路运行得更冷静、更高效。其极低的栅极电荷和优化的动态特性，确保了快速干净的开关动作，显著降低电磁干扰（EMI）。创新的PowerFlat HV封装不仅节省宝贵空间，其卓越的热性能更让您无需担心散热压力，助力打造更紧凑、更可靠的下一代功率产品。