STL26NM60N - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL26NM60N技术参数详情：

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为高压大电流开关器件的选择而反复权衡？当面对600V的严苛电压平台和高达19A的连续电流需求时，一颗兼具高性能与高可靠性的MOSFET，往往成为决定系统成败的关键。现在，让我们向您隆重介绍意法半导体MDmesh II系列中的明星产品STL26NM60N，它正是为应对此类挑战而生的卓越解决方案。

这款N沟道功率MOSFET的核心优势，在于其革命性的MDmesh II技术。这项技术通过优化单元结构和工艺，在保持超低导通电阻的同时，显著降低了栅极电荷和开关损耗。具体而言，STL26NM60N在10V驱动电压下，导通电阻低至185毫欧，而栅极电荷仅为60nC。这意味着什么？意味着更低的传导损耗和开关损耗，直接转化为更高的系统效率和更低的温升。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断电系统(UPS)和太阳能逆变器，它都能让您的设备在高效、凉爽的状态下稳定运行，轻松应对150°C的高结温工作环境，为系统长期可靠性保驾护航。

其应用场景广泛而深入。想象一下，在紧凑型高效率开关电源(SMPS)中，它凭借PowerFlat HV封装（8x8）的纤薄外形和卓越散热能力，帮助设计师在有限空间内实现更高的功率密度。在电机驱动电路中，其快速的开关特性和坚固性确保了精准的控制与平顺的运行。选择STL26NM60N，您选择的不仅仅是一个元器件，更是一份来自意法半导体的品质承诺和性能保障。我们信赖的ST中国代理网络，将为您提供从技术选型支持到稳定供货的全方位服务，确保您的创新想法能够快速、顺利地转化为具有市场竞争力的产品。让这颗凝聚尖端技术的芯片，成为您下一款高效能设计中最值得信赖的功率开关核心。

型号:STL26NM60N
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（8x8）HV
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.7A（Ta），19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:185 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:125mW（Ta），3W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
封装/外壳:4-PowerVDFN
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您正在寻找一颗能轻松驾驭600V高压、19A大电流的功率开关吗？STL26NM60N正是您的理想之选！它基于意法半导体先进的MDmesh II技术，为您带来超低的185毫欧导通电阻和仅60nC的栅极电荷，这意味着它能显著降低系统的导通与开关损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更高效、更凉爽。

这颗芯片采用创新的PowerFlat HV表面贴装封装，不仅节省宝贵的电路板空间，其优异的散热性能更能确保在高功率密度应用中稳定工作。无论是打造更小巧的服务器电源、更可靠的工业变频器，还是更高效的太阳能逆变器，STL26NM60N都能以卓越的性能和高达150°C的结温工作能力，为您的产品注入强劲而可靠的动力核心。