STL33N60M2 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL33N60M2技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换系统中，您是否还在为开关损耗和散热问题而困扰？想象一下，一款能够在600V高压下稳定运行，同时将导通电阻降至极低的功率MOSFET，将如何彻底改变您的电源设计格局。今天，我们向您隆重介绍STL33N60M2，这颗源自意法半导体MDmesh II Plus家族的明星产品，正是为破解高效与可靠难题而生。

它不仅仅是一个参数表上的数字，更是您提升产品竞争力的秘密武器。其135毫欧的超低导通电阻，意味着在相同的电流负载下，能量以热形式耗散的部分被大幅削减，直接转化为更高的系统效率和更低的运行温度。配合高达22A的连续漏极电流承载能力和190W的强大功率处理能力，它让大功率应用举重若轻。无论是面对工业电机驱动的严苛环境，还是服务器电源对稳定性的极致要求，亦或是新能源领域如太阳能逆变器、电动汽车充电桩的复杂工况，STL33N60M2都能以其坚实的性能内核，确保系统心脏强劲而持久地跳动。

选择STL33N60M2，就是选择了一份经得起验证的卓越与安心。其采用的先进MDmesh II Plus技术，在开关速度和导通损耗之间取得了精妙的平衡，47nC的低栅极电荷让开关动作干净利落，进一步减少了开关损耗。表面贴装的PowerFlat HV封装不仅节省了宝贵的PCB空间，其优异的散热特性更能确保芯片在高达150°C的结温下依然稳定工作，大大提升了系统的功率密度和可靠性。当您需要可靠的原厂货源和专业的技术支持时，我们的合作伙伴资深的ST一级代理，将为您提供从选型到量产的全链路服务。让STL33N60M2成为您下一个爆款产品的能量基石，与我们一同开启高效、紧凑、可靠的电源新时代。

型号:STL33N60M2
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（8x8）HV
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 22A PWRFLAT HV
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:135 毫欧 @ 10.75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1700 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:190W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
封装/外壳:4-PowerVDFN
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还在寻找那颗能兼顾高压、大电流与高效率的“全能型”功率开关吗？STL33N60M2就是您的理想答案。这颗N沟道MOSFET专为 demanding 应用而设计，其600V的漏源电压和22A的连续电流能力，让您轻松驾驭从工业电源到新能源逆变器的各种高压大功率场景。

它的核心价值在于极致的能效表现。得益于MDmesh II Plus技术，它实现了惊人的135毫欧超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。同时，优化的栅极电荷和电容特性，确保了快速干净的开关性能，进一步提升了整体效率。采用紧凑的PowerFlat HV封装，它不仅为您节省电路板空间，其卓越的散热设计更能保障在高功率下的长期稳定运行，是您提升产品功率密度和可靠性的不二之选。