STL33N60M6

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源系统是否还在为功率器件的散热、尺寸和开关损耗而妥协？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体MDmesh M6系列中的明星产品STL33N60M6，这颗600V、21A的功率MOSFET，正是为打破传统瓶颈、释放系统潜能而生。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明应用中，系统需要在高电压下稳定、高效地切换大电流。这正是STL33N60M6大显身手的舞台。其MDmesh M6先进技术，带来了极低的137毫欧导通电阻（RDS(on)）和优化的栅极电荷（Qg仅为33.4nC），这意味着更低的传导损耗和开关损耗。您的设备将运行得更凉爽，效率更高，直接转化为更长的使用寿命和更低的运营成本。无论是应对严苛的工业环境，还是满足消费类产品对轻薄化的极致追求，它都能游刃有余。

选择STL33N60M6，就是选择了一份可靠与高效的保障。其采用创新的PowerFlat HV（8x8）封装，在提供卓越散热性能的同时，大幅节省了PCB空间，让您的设计更加灵活自由。高达150W的功率处理能力和-55°C至150°C的宽广工作结温范围，确保了它在各种极端条件下的稳定表现。当您需要值得信赖的供应链支持时，我们的ST芯片代理服务网络将为您提供从选型到量产的一站式解决方案。别再让功率器件成为系统升级的短板，立即采用STL33N60M6，为您的下一个设计注入强劲动力与卓越可靠性，亲眼见证整体性能的飞跃。

• 型号:STL33N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET 600V 21A POWERFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:-
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:137毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1515 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• 现在可以订购STL33N60M6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压大电流应用的效率与散热问题头疼吗？让STL33N60M6来为您轻松化解！这颗来自意法半导体MDmesh M6家族的600V/21A功率MOSFET，凭借其超低的137毫欧导通电阻和优化的33.4nC栅极电荷，能显著降低开关和传导损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它采用先进的PowerFlat HV封装，不仅散热性能出众，更能为您节省宝贵的电路板空间，助力实现更紧凑、更轻薄的终端产品设计。无论是提升能效、增强可靠性还是简化热管理，STL33N60M6都是您打造高性能、高竞争力方案的理想核心器件。