STL35N75LF3

当您设计的电源系统需要在高效率与紧凑空间之间找到完美平衡点时，是否曾为选择一款性能卓越又可靠的功率开关器件而反复权衡？今天，我们为您带来一个能彻底打消疑虑的解决方案STL35N75LF3。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其高达32A的连续漏极电流和仅75V的漏源电压，专为那些对功率密度和能效有极致要求的应用而生。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力的关键引擎，让您的设计在激烈的市场中脱颖而出。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或是高密度DC-DC转换器中，每一瓦的损耗都意味着成本的增加和可靠性的挑战。STL35N75LF3正是为此类严苛场景量身打造。其采用先进的PowerFlat封装，尺寸仅为3.3x3.3毫米，却能高效处理高达50W的功率耗散。这意味着您可以在更小的PCB面积上实现更大的功率输出，轻松应对空间受限的现代电子设备设计。其低至25毫欧的导通电阻（在10V Vgs条件下）确保了开关过程中的导通损耗被降至最低，直接转化为更低的温升和更高的系统整体效率，让您的设备运行更凉爽、更持久。

选择STL35N75LF3，就是选择了一份来自全球半导体领袖的技术保障。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）赋予了产品无与伦比的环境适应性，无论是严寒还是酷热，都能稳定工作。极低的栅极电荷和输入电容特性，让驱动电路设计变得异常简单，显著降低了开关损耗，提升了高频开关性能。这不仅能缩短您的开发周期，更能从源头上优化BOM成本。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道与技术支持，我们的ST芯片代理服务团队随时待命，为您提供从选型到量产的全方位支持。让STL35N75LF3成为您下一个成功项目的强大心脏，开启高效、紧凑、可靠的电源管理新篇章。

• 型号:STL35N75LF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 32A POWERFLAT
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购STL35N75LF3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您是否正在寻找一颗能同时征服高电流与紧凑空间的功率开关芯片？STL35N75LF3就是您的理想答案。这颗由ST意法半导体出品的N沟道MOSFET，拥有32A的强大电流处理能力和75V的耐压，专为提升电源转换效率和功率密度而设计。

它采用创新的PowerFlat微型封装，让您能在寸土寸金的电路板上轻松布局，却毫不妥协于性能。其极低的导通电阻和栅极电荷，能显著减少开关损耗和发热，让您的系统运行更高效、更凉爽。无论是驱动电机、管理电源还是进行负载开关，STL35N75LF3都能以卓越的可靠性，助您轻松构建更紧凑、更强大的下一代电子产品。