STL36N60DM6

当您的下一代电源设计面临效率与尺寸的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时征服高电压与低损耗的“全能战士”？答案就在STL36N60DM6。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其600V的坚固耐压和仅215毫欧的超低导通电阻，为您的高压应用注入澎湃而高效的能量核心。它不仅仅是一个开关，更是系统能效跃升的关键支点，让能量在传输过程中的每一分损耗都降到最低，直接将性能优势转化为产品的市场竞争力。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）乃至高功率LED照明和电动汽车充电桩中，STL36N60DM6都能游刃有余。其采用的先进MDmesh DM6技术，专门优化了开关性能与导通损耗的平衡。在频繁开关的PFC（功率因数校正）电路中，它极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让系统整体效率轻松突破95%的标杆。而在紧凑的模块化设计中，其PowerFlat HV封装提供了卓越的散热性能和更小的占板面积，让您在追求功率密度的道路上毫无后顾之忧。

选择STL36N60DM6，就是选择了一份来自技术前沿的可靠保障。它高达15A的连续电流承载能力和110W的功率耗散能力，确保了在严苛工况下的长久稳定运行。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，使其能够从容应对极端环境挑战。更重要的是，通过与值得信赖的ST一级代理合作，您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，更能得到及时的技术支持和充足的供货稳定性，让您的产品从研发到量产全程畅通无阻。这颗芯片，正是助力您的产品在能效竞赛中脱颖而出的秘密武器。

• 型号:STL36N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:215 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• 现在可以订购STL36N60DM6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压电源设计的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？让STL36N60DM6为您带来颠覆性的解决方案。这颗采用ST先进MDmesh DM6技术的600V/15A MOSFET，拥有惊人的215毫欧超低导通电阻，能显著降低开关损耗，让您的电源系统运行得更凉爽、更高效。

它集成了多项优势于一身：极低的栅极电荷确保快速开关，减少驱动损耗；优化的PowerFlat HV封装提供出色的散热性能，节省宝贵空间。无论是提升工业驱动器的可靠性，还是打造紧凑高效的服务器电源，它都能让您轻松实现更高的功率密度和能效等级，直接提升终端产品的市场吸引力。