STL45N10F7AG

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源转换或电机驱动方案是否还在为功率器件的体积、损耗和可靠性而妥协？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体新一代功率MOSFET的杰出代表STL45N10F7AG。这颗基于先进STripFET F7技术打造的N沟道MOSFET，不仅拥有100V的耐压和18A的连续电流能力，更将导通电阻（RDS(on)）降至惊人的24毫欧，这意味着更低的导通损耗和更高的整体效率，让您的产品在激烈的市场竞争中率先赢得“能效”这张王牌。

无论是车载充电器（OBC）、DC-DC转换器，还是电动工具、无人机电调，STL45N10F7AG都能游刃有余。其AEC-Q101车规级认证，确保了在-55°C至175°C的严苛温度范围内稳定工作，为汽车电子应用提供了坚实的品质保障。而独特的PowerFlat（5x6）封装，在提供高达72W散热能力的同时，大幅节省了PCB空间，让您的设计可以更轻薄、更紧凑。想象一下，在有限的电路板面积内，实现更大的功率输出和更优的散热表现，这正是STL45N10F7AG为您带来的核心价值。

选择STL45N10F7AG，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。它不仅仅是一个参数优秀的半导体器件，更是您提升产品性能、加速上市周期的战略伙伴。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），有助于降低开关损耗，简化驱动电路设计，让系统运行更加高效、安静。当您需要稳定可靠的货源与专业的技术支持时，我们的ST授权代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的全流程服务。拥抱STL45N10F7AG，释放您设计的全部潜能，共同打造下一代高效、可靠的电力电子解决方案。

• 型号:STL45N10F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 18A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1450 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:72W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购STL45N10F7AG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能在紧凑空间内爆发强劲动力，同时保持冷静高效的功率开关吗？STL45N10F7AG正是为您而来。这颗来自意法半导体的100V/18A N沟道MOSFET，采用先进的STripFET F7技术，拥有低至24毫欧的超低导通电阻，能显著降低功率损耗，提升系统整体效率，让您的电源管理或电机驱动方案轻装上阵，性能却更加强劲。

它采用节省空间的PowerFlat封装，散热能力出众，非常适合对体积和热管理有严苛要求的应用。无论是汽车电子、便携设备还是工业控制，STL45N10F7AG都能让您轻松应对高功率密度设计的挑战，实现更可靠、更紧凑的产品设计。