STL45N65M5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL45N65M5技术参数详情：

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源系统是否还在为功率密度与散热性能的平衡而困扰？想象一下，一颗能够轻松驾驭650V高压、承载高达22.5A电流的功率开关，同时还能将导通损耗降至极低，会是怎样的体验？现在，这一切都因STL45N65M5的到来而成为现实。这款来自ST意法半导体MDmesh V家族的N沟道MOSFET，正是为突破传统限制、释放系统潜能而生。

它不仅仅是一个开关，更是您提升产品竞争力的核心引擎。其标志性的86毫欧超低导通电阻，意味着在相同的电流下，它能将更多的电能高效地传递给负载，而非转化为恼人的热量。这直接转化为更低的系统温升、更高的长期可靠性，以及更小的散热器需求，让您的设计在能效竞赛中脱颖而出。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断追求轻量化与长续航的新能源汽车车载充电机(OBC)，STL45N65M5都能提供稳定、强劲且高效的功率转换心脏。

选择它，就是选择了一份从容与自信。其采用的先进PowerFLAT 8x8封装，在极小的占板面积内实现了卓越的散热性能，功率耗散能力高达160W，让您在有限的空间内也能布局大功率应用。同时，优化的栅极电荷(Qg)特性确保了快速、干净的开关动作，这不仅减少了开关损耗，也简化了驱动电路的设计，让系统整体运行更安静、更高效。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，专业的ST中国代理将成为您坚实的后盾，确保从研发到量产的每一步都顺畅无阻。让STL45N65M5成为您下一个明星产品的强大内核，共同开启高效、可靠的电能新时代。

型号:STL45N65M5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFLAT（8x8）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta），22.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:86 毫欧 @ 14.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:82 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3470 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），160W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFLAT（8x8）
封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在为高压大电流应用的效率瓶颈和散热难题寻找解决方案吗？STL45N65M5正是为您而来的得力助手。它集成了ST先进的MDmesh V技术，以高达650V的耐压和22.5A的连续电流能力，让您轻松应对苛刻的功率开关挑战。

这颗芯片能为您做什么？它凭借低至86毫欧的导通电阻，显著降低导通损耗，直接将更高的效率转化为产品的核心竞争力。同时，其优化的动态参数有助于实现更快的开关速度和平滑的EMI表现。采用紧凑的PowerFLAT封装，它在节省宝贵PCB空间的同时，提供了出色的散热路径，让您的设计在追求高功率密度的道路上更加游刃有余。