STL4N10F7 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL4N10F7技术参数详情：

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源转换或电机驱动方案是否还在为功率器件的损耗和体积所困扰？想象一下，一颗集高耐压、低损耗与超薄封装于一身的MOSFET，将如何彻底改变您的产品性能版图。现在，答案就在STL4N10F7。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，正是为突破效率瓶颈、释放空间潜力而生的卓越解决方案。

它绝不仅仅是一个简单的开关。凭借高达100V的漏源电压和18A（Tc）的连续漏极电流能力，STL4N10F7能够轻松驾驭从工业级电源适配器、高效率DC-DC转换器到紧凑型电机驱动、电池保护电路等一系列严苛应用。当您的设计需要在有限的空间内处理可观的功率，或者渴望在48V通信电源、电动工具、无人机电调中实现更低的温升和更高的可靠性时，这颗芯片就是您值得信赖的“能量指挥官”。其卓越的电气特性，让系统运行更冷静，续航更持久。

选择STL4N10F7，意味着您选择了经过市场验证的尖端技术。它隶属于ST引以为傲的STripFET VII和DeepGATE产品家族，这代表了极低的导通电阻仅70毫欧，能显著减少导通损耗，提升整体能效。同时，其优化的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关速度，进一步降低了开关损耗，让高频高效运行成为可能。更令人心动的是，所有这些强大性能都被集成在超薄的PowerFlat（3.3x3.3）封装内，为您节省宝贵的PCB空间，是实现产品小型化、轻薄化的理想选择。无论面对复杂的散热挑战还是紧凑的布局要求，它都能从容应对。如需获取稳定的供货与专业的技术支持，我们的合作伙伴ST中国代理团队随时准备为您服务。

从提升那至关重要的几个百分点效率，到为产品赢得决定性的尺寸优势，STL4N10F7所承载的价值远超其本身。它代表了一种设计哲学：在功率密度与能源效率的平衡艺术中，找到最优解。当您的下一个项目呼唤高性能与高集成度，这就是那颗能让创意流畅供电、让产品脱颖而出的核心动力芯片。

型号:STL4N10F7
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（3.3x3.3）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 4.5/18A PWRFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Ta），18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 2.25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:408 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:2.9W（Ta），50W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在寻找一颗能同时征服高效率和迷你体积的功率开关吗？STL4N10F7正是为您而来的答案。这颗N沟道MOSFET拥有100V耐压和高达18A的电流处理能力，其核心价值在于让您的设计轻松实现更低的能量损耗和更小的占用空间。

它采用先进的STripFET VII技术，导通电阻低至70毫欧，能显著减少导通状态下的发热，提升系统整体能效。同时，优化的开关特性帮助您实现更高频率的运行，进一步压缩无源器件的体积。所有这些强大功能，都被集成在一个极其扁平的PowerFlat封装内，为您释放宝贵的PCB面积，让产品设计更加灵活、紧凑。

简而言之，STL4N10F7就是您提升电源转换效率、实现电机驱动小型化、打造下一代紧凑型高可靠性设备的理想基石。选择它，就是选择了一条通往更高性能与更优成本效益的捷径。