STL4P2UH7 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL4P2UH7技术参数详情：

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？想象一下，一个仅2x2毫米的微小封装内，蕴藏着驱动4A负载的强大能力，同时将导通电阻压降至惊人的100毫欧以下这并非未来科技，而是STL4P2UH7为您带来的现实突破。作为ST意法半导体DeepGATE与STripFET VII技术的结晶，这颗P沟道MOSFET重新定义了小尺寸功率器件的性能标杆，让高效与紧凑不再是对立的选择。

当您设计下一代便携设备、智能穿戴或高密度板载电源模块时，STL4P2UH7的价值将全方位显现。其20V的漏源电压与4A的连续电流能力，完美适配USB供电、电池保护、负载开关及DC-DC转换等关键电路。更令人振奋的是，它仅需1.8V的低驱动电压即可开启高效工作，显著降低系统整体功耗，延长电池续航。在空间寸土寸金的现代电子产品中，其超薄的PowerFlat封装不仅能轻松融入最紧凑的布局，更能通过优异的散热设计，确保在高达150°C的结温下稳定运行，为您的产品可靠性增添坚实保障。

选择STL4P2UH7，不仅是选择了一颗高性能MOSFET，更是选择了一套经过市场验证的优化解决方案。其极低的栅极电荷（仅4.8nC）和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，直接提升系统整体能效。尽管该型号已处于停产状态，但通过可靠的ST代理渠道，您依然可以获取高质量的库存或替代方案支持，确保项目供应链的平稳与连续。让这颗凝聚尖端技术的芯片，成为您打造更节能、更小巧、更可靠电子产品的秘密武器，即刻开启能效新纪元。

型号:STL4P2UH7
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（2x2）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET P-CH 20V 4A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.8 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:510 pF @ 10 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:2.4W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（2x2）
封装/外壳:6-PowerWDFN
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您是否正在寻找一颗能在微小空间内掌控功率的“能量枢纽”？STL4P2UH7正是为您而来！这颗采用先进STripFET VII技术的P沟道MOSFET，拥有20V/4A的稳健功率处理能力，却仅占用2x2毫米的板面空间。它让您能轻松设计出更纤薄、更紧凑的电源管理模块，无论是手机、平板还是各类便携设备，都能游刃有余。

其核心魅力在于极致高效。凭借低于100毫欧的导通电阻和仅需1.8V的低门槛驱动电压，它能显著降低开关损耗和整体功耗，直接提升终端产品的续航时间。同时，优异的散热性能确保它在高负荷下也能稳定工作。选择它，就是为您的产品选择了一份强大的性能保障与空间自由。