STL52DN4LF7AG

在追求极致能效与可靠性的汽车电子设计中，您是否还在为功率开关的选择而反复权衡？现在，答案已经揭晓。我们隆重推出STL52DN4LF7AG，这颗来自ST意法半导体的汽车级双N沟道MOSFET阵列，正是为应对严苛挑战而生的高性能解决方案。它不仅仅是一个元器件，更是您提升系统效率、确保长期稳定运行的强大引擎。

想象一下，在引擎控制单元、LED照明驱动或先进的DC-DC转换器中，STL52DN4LF7AG正以其卓越性能默默贡献力量。其高达40V的漏源电压和18A的连续漏极电流，为各种负载切换提供了充沛的动力储备。更令人振奋的是，其导通电阻低至惊人的16毫欧，这意味着在传导过程中产生的热量损耗被大幅削减，系统整体能效得到显著提升，让您的产品在能耗和发热控制上领先一步。无论是应对-55°C的严寒还是175°C的高温节点，它都能稳定工作，这种宽广的温度适应性，正是汽车电子在复杂环境下可靠运行的基石。

选择STL52DN4LF7AG，就是选择了一份安心与远见。它隶属于STripFET F7产品家族，并严格符合AEC-Q101汽车级认证标准，从设计之初就植入了高品质与高可靠性的基因。其极低的栅极电荷和输入电容，确保了快速的开关速度，能有效降低开关损耗，让您的系统响应更迅捷，运行更高效。紧凑的8-PowerVDFN表面贴装封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，还为散热设计提供了便利。当您需要稳定、优质的货源和技术支持时，我们的ST一级代理身份将为您提供从选型到量产的全程无忧服务。立即采用STL52DN4LF7AG，让它成为您下一代汽车电子设计的核心动力，共同驱动更智能、更高效的未来出行体验。

• 型号:STL52DN4LF7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 18A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.4nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:500pF @ 25V
• 功率 - 最大值:65W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 现在可以订购STL52DN4LF7AG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和紧凑尺寸的汽车级功率开关吗？STL52DN4LF7AG正是您期待的答案。这颗双N沟道MOSFET阵列，凭借其低至16毫欧的导通电阻和高达18A的电流处理能力，能显著降低系统导通损耗，让您的电源管理或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

它专为严苛的汽车环境打造，符合AEC-Q101标准，工作温度范围宽达-55°C至175°C，确保在极端条件下依然稳定可靠。其优化的开关特性（低栅极电荷）让您轻松实现快速切换，提升整体系统响应速度。选择它，就是为您的设计注入一颗强劲而可靠的‘心脏’。