STL60N10F7 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL60N10F7技术参数详情：

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源转换或电机驱动方案是否还在为功率密度与散热效率的平衡而苦恼？想象一下，一颗集高性能、低损耗与微型封装于一体的功率开关，将如何彻底改变您的产品格局。现在，答案就在STL60N10F7之中。

这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，绝不仅仅是参数表上的冰冷数字。它承载着STripFET VII与DeepGATE两大核心技术的基因，将100V的耐压能力与低至18毫欧的导通电阻完美融合在微小的PowerFlat封装内。这意味着，在高达46A的连续电流下，它能将导通损耗降至极低，让宝贵的电能更多地转化为有效输出，而非令人头疼的热量。其卓越的开关特性与低栅极电荷，更能让您的系统以更高频率稳定运行，显著提升整体能效与动态响应速度。

无论是服务器电源中要求严苛的DC-DC同步整流，还是电动工具、无人机电调中需要爆发力与持续性的电机驱动，甚至是高效LED照明与适配器中的关键开关，STL60N10F7都能游刃有余。它那仅5x6毫米的纤薄身躯，能轻松嵌入空间受限的现代电子设备，帮助您实现更小巧、更轻量化的工业设计。宽广的-55°C至175°C结温工作范围，更是赋予了它在恶劣环境下稳定运行的可靠基因，确保您的终端产品在各种挑战中依然表现坚如磐石。

选择STL60N10F7，就是选择了一份由顶尖半导体技术背书的高性能保障。它不仅解决了功率与尺寸的矛盾，更通过降低系统热管理难度，间接为您节省了综合成本，加速产品上市周期。当您需要可靠的原厂品质与及时的技术支持时，请务必通过正规的ST授权代理进行采购，这是确保产品链正宗、性能无忧、并获得完整售后服务的关键一步。让STL60N10F7成为您下一款明星产品中那颗强劲而高效的心脏，驱动创新，赢在未来。

型号:STL60N10F7
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（5x6）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 46A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1640 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:5W（Ta），72W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在寻找一颗能同时征服高电流与紧凑空间的功率开关吗？STL60N10F7正是为您而来的解决方案。它集成了ST先进的STripFET VII技术，在100V的电压下提供高达46A的电流处理能力，而其导通电阻（Rds(on)）最低仅18毫欧，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉、更高效。

这颗芯片能让您轻松应对空间挑战。其创新的PowerFlat（5x6）微型封装，极大地节省了PCB面积，非常适合对尺寸有严苛要求的现代便携式设备或高密度电源模块。同时，优异的开关性能（低栅极电荷Qg）与宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保了它在各种应用场景下的快速响应与长期可靠性，是您提升产品功率密度和整体性能的得力助手。