STL60NH3LL

在追求极致能效的今天，您是否还在为电源转换模块的效率和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够在紧凑空间内承载30A大电流，同时将导通损耗降至毫欧级别的功率开关，将如何彻底改变您的设计格局？这正是STL60NH3LL为您带来的核心价值。作为意法半导体STripFET家族的杰出代表，它不仅仅是一个MOSFET，更是您实现高效、可靠、紧凑型电源解决方案的得力引擎。

当我们将目光投向实际应用，STL60NH3LL的身影无处不在。在同步整流电路中，其低至8.5毫欧的导通电阻意味着更少的热量产生和更高的转换效率，直接为您的服务器电源、通信设备电源注入强劲动力。在电机驱动和电池保护板上，30V的耐压与30A的连续电流能力，确保了驱动与控制的安全与强劲。其独特的PowerFlat（5x6）封装，专为高功率密度设计而生，让您在寸土寸金的PCB上也能游刃有余地布局大电流路径，轻松应对空间极限挑战。

选择STL60NH3LL，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。尽管其已进入停产状态，但它在存量市场及特定延续性项目中依然闪耀着不可替代的价值。其优异的开关特性（Qg仅24nC）有助于降低开关损耗，提升系统频率，而宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）则赋予了产品在严苛环境下稳定运行的底气。对于正在寻找高性能、高性价比替代方案或管理现有产品生命周期的工程师而言，这颗芯片所代表的稳定性和成熟度是无价的。如果您正在规划此类方案，联系一家可靠的ST芯片代理，获取专业的库存与技术支持，将是确保项目顺利推进的明智之举。让STL60NH3LL以其久经考验的性能，继续为您的创新产品保驾护航，创造更大价值。

• 型号:STL60NH3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 30A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1810 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购STL60NH3LL，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能同时兼顾大电流、低损耗与超小体积的功率开关吗？STL60NH3LL正是为您而生的答案。这颗N沟道MOSFET拥有30A的强劲电流处理能力和低至8.5毫欧的导通电阻，能显著降低您电源模块的导通损耗，提升整体能效，让热量管理变得前所未有的轻松。

它采用先进的PowerFlat封装，在极小的占板面积下实现了高达60W的功率耗散能力，完美适配您对高功率密度设计的追求。无论是用于同步整流、电机驱动还是负载开关，STL60NH3LL都能以高效的性能和可靠的品质，助您打造出更紧凑、更强劲的终端产品。