STL65N3LLH5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL65N3LLH5技术参数详情：

想象一下，您的下一代紧凑型电源或电机驱动方案，如何在保持极致效率的同时，还能将空间占用和热管理压力降至最低？答案就藏在STL65N3LLH5这颗性能卓越的功率器件之中。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体STripFET V技术的集大成者，专为那些对功率密度和能效有着严苛要求的应用而生。当您需要在一个狭小的空间内处理高达65A的连续电流时，它将是您最可靠的伙伴，其低至5.8毫欧的导通电阻，意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为系统整体效率的显著提升和更长的运行时间。

无论是为蓬勃发展的无人机提供强劲而轻量化的电调动力，还是在服务器电源模块中实现高效、稳定的DC-DC转换，亦或是驱动便携式电动工具的电机，STL65N3LLH5都能游刃有余。其30V的漏源电压和优化的栅极电荷特性，确保了快速、干净的开关动作，这对于提升开关频率、减小外围被动元件尺寸至关重要。搭配其标志性的PowerFlat 5x6封装，这颗芯片能轻松贴装在PCB背面或任何空间受限的区域，为您的产品设计带来前所未有的布局灵活性，让“小身材，大能量”从构想变为现实。

选择STL65N3LLH5，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺和经过市场验证的可靠性。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）赋予了产品应对严酷环境挑战的底气。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和成熟的应用案例，使其成为特定高要求项目或库存优化方案的绝佳选择。对于正在寻找可靠货源和专业技术支持的工程师，联系权威的ST中国代理，是获取这颗经典功率芯片及相关替代方案建议的最直接途径。让STL65N3LLH5成为您产品性能飞跃的基石，开启高效、紧凑的电源管理新篇章。

型号:STL65N3LLH5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（5x6）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 65A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.8 毫欧 @ 9.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±22V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:60W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
封装/外壳:8-PowerVDFN
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您是否正在寻找一颗能在紧凑空间内爆发巨大能量的开关核心？STL65N3LLH5正是为您而来。这颗采用先进STripFET V技术的N沟道MOSFET，拥有30V耐压和高达65A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的5.8毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉、更高效。

它采用节省空间的PowerFlat封装，让您轻松实现高密度PCB布局。优异的开关特性（低栅极电荷和输入电容）让驱动设计更简单，开关速度更快，从而帮助您提升系统整体频率和动态响应。选择它，就是为您的产品注入了强劲而可靠的“动力心脏”。