STL70N10F3

在追求极致效率的电源与电机控制领域，您是否还在为寻找一款能在紧凑空间内承载大电流、同时保持超低损耗的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个令人振奋的解决方案STL70N10F3。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的性能重新定义了100V电压等级下的功率密度与效率边界，是工程师应对严苛设计挑战的得力武器。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器中，每一瓦特的损耗都意味着额外的散热成本和系统可靠性的降低。STL70N10F3的核心魅力正在于此。它采用了先进的STripFET III技术，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）低至惊人的8.4毫欧。这意味着在高达82A的连续电流下，导通损耗被大幅削减，电能得以更高效地传递，而非转化为无用的热量。更低的损耗直接转化为更凉爽的运行温度、更小的散热器需求以及最终产品更长的使用寿命和更高的可靠性，让您的系统在竞争中脱颖而出。

这款芯片的价值远不止于参数表。其创新的PowerFlat 5x6封装，在提供强大功率处理能力的同时，将占板面积压缩到极致，完美契合当今电子产品小型化、集成化的浪潮。无论是空间受限的通信设备电源模块，还是追求高功率密度的新能源车载充电器，它都能游刃有余地融入其中。同时，高达175°C的结温工作范围和稳健的栅极耐受能力（±20V），确保了其在工业环境、汽车电子等恶劣条件下的稳定表现，为您的设计注入强大的鲁棒性基因。

选择STL70N10F3，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。它代表了ST在功率半导体领域深厚的技术积淀。虽然该型号目前已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其在特定存量项目或对可靠性有极致要求的场合中依然极具价值。如果您正在寻找可靠的库存或替代方案，专业的ST芯片代理伙伴能为您提供全面的供应链支持与技术咨询。让这颗凝聚智慧与工艺的芯片，成为您打造下一代高效、紧凑、可靠功率系统的基石，开启能效飞跃的新篇章。

• 型号:STL70N10F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 100V 82A PWRFLAT 5X6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):82A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.4 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3210 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购STL70N10F3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在设计需要处理大功率的紧凑型设备吗？STL70N10F3正是为您而来的高效功率开关。它能轻松驾驭高达100V的电压和82A的连续电流，而其核心价值在于极低的导通电阻（仅8.4毫欧），这意味着在开关过程中电能损耗更少，发热量更低，让您的系统运行更凉爽、更高效。

这颗芯片采用先进的STripFET III技术和独特的PowerFlat 5x6超薄封装，在提供强大功率处理能力的同时，极大节省了宝贵的电路板空间。无论是用于电机驱动、电源转换还是负载开关，它都能让您以更小的体积实现更强的性能。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）和坚固的设计，确保了在各种严苛环境下的稳定性和可靠性，助您轻松构建出更具竞争力的终端产品。