STL7N10F7

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源转换或电机驱动方案是否还在为功率器件的体积与性能而妥协？想象一下，一颗集高耐压、低损耗与微型封装于一身的功率开关，将如何彻底改变您的产品布局。现在，答案就在STL7N10F7。这款来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，正是为突破传统限制而生。它采用先进的STripFET VII和DeepGATE技术，在仅3.3x3.3毫米的PowerFlat封装内，实现了高达100V的耐压和7A的连续电流能力，导通电阻低至惊人的35毫欧。这意味着，您不仅获得了强大的功率处理核心，更赢得了宝贵的PCB空间和更低的系统温升，让整体效率跃升至全新高度。

无论是紧凑型DC-DC转换器、高效的电机驱动，还是需要快速开关的负载开关应用，STL7N10F7都能游刃有余。其极低的栅极电荷（仅14nC）和输入电容，确保了超快的开关速度，显著降低了开关损耗，特别适合高频开关电源设计。在无人机电调、便携式工具、车载充电器或LED照明驱动中，它都能提供稳定、可靠的性能输出，帮助您的终端产品在激烈的市场竞争中，凭借更高的能效和更小的体积脱颖而出。选择它，就是选择为您的创新注入强劲而高效的动力心脏。

那么，为何众多工程师在面临严苛的功率密度挑战时，会毫不犹豫地选择STL7N10F7？理由清晰而有力。首先，其卓越的电气参数与微型封装的结合，直接解决了空间与散热的双重难题。其次，意法半导体深厚的工艺底蕴保证了器件的一致性与长期可靠性，工作温度范围宽达-55°C至150°C，从容应对各种恶劣环境。最后，通过专业的ST芯片代理渠道，您可以轻松获得稳定的供货、全面的技术支持与可靠的品质保障，让您的产品从设计到量产全程无忧。这不仅仅是一颗MOSFET的选择，更是一次对产品竞争力与市场成功的前瞻性投资。

• 型号:STL7N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tj）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:920 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.9W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购STL7N10F7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找那颗能兼顾高性能与小体积的“核心开关”吗？STL7N10F7 N沟道功率MOSFET就是为您而来的解决方案。它基于意法半导体先进的STripFET VII技术，在微型PowerFlat封装内，为您提供100V耐压和7A的持续电流能力，同时将导通电阻控制在极低的35毫欧。这意味着它能显著降低导通损耗，提升系统整体效率，让您的电源或电机驱动设计更高效、更凉爽。

这颗芯片能为您做什么？它能让您轻松实现高效率的DC-DC功率转换，胜任电机驱动、负载开关等关键任务。其低栅极电荷特性确保了快速的开关响应，非常适合高频应用。无论是提升便携式设备的续航，还是缩小工业模块的体积，STL7N10F7都能成为您提升产品竞争力的得力助手，助您轻松设计出更紧凑、更可靠的下一代电子产品。