STL80N3LLH6 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL80N3LLH6技术参数详情：

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一个能同时实现高电流承载与超低导通电阻的解决方案，将如何彻底改变您的设计格局。现在，答案就在STL80N3LLH6这颗强大的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个开关，更是通往高效、紧凑与可靠性的钥匙。

得益于意法半导体先进的STripFET VI技术和DeepGATE工艺，这颗芯片在仅30V的漏源电压下，能持续承载高达80A的电流，而其导通电阻在10V驱动时低至惊人的5.2毫欧。这意味着什么？意味着更少的能量以热量的形式被浪费，更高的系统整体效率，以及更从容的散热设计。其PowerFlat（5x6）的超薄封装，更是为空间受限的现代电子设备量身打造，让您在寸土寸金的PCB上也能部署强大的功率处理核心。

无论是服务器和数据中心里要求严苛的DC-DC转换器，还是新能源汽车中迅猛发展的车载充电器(OBC)和电机驱动，亦或是工业自动化中需要频繁开关的电源与电机控制单元，STL80N3LLH6都能游刃有余。它卓越的开关特性（低栅极电荷Qg）与宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），确保了系统在极端环境下的稳定与耐久，让您的产品在面对市场挑战时更具底气。

选择STL80N3LLH6，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能与可靠性。它代表了意法半导体在功率半导体领域的深厚积淀。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标依然是许多经典和特定应用设计的标杆。对于仍有需求的工程师，通过可靠的ST代理商渠道，依然可以获取到高质量的货源，为您的现有产品维护或特定项目提供持续保障。这不仅仅是一次元件选型，更是为您的产品注入高效动力与长久信心的战略决策。

型号:STL80N3LLH6
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（5x6）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 80A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.2 毫欧 @ 10.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1690 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:60W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
封装/外壳:8-PowerVDFN
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您是否正在寻找一颗能大幅提升电源效率、同时节省宝贵电路板空间的“能量引擎”？STL80N3LLH6正是您期待的答案。这颗采用先进PowerFlat封装的N沟道MOSFET，集成了STripFET VI技术，让您在30V电压下轻松驾驭80A大电流，而超低的5.2毫欧导通电阻能显著减少开关损耗，直接提升系统整体能效。

它能让您的DC-DC转换器、电机驱动或电源开关设计运行得更凉爽、更高效。极低的栅极电荷和优化的动态特性，确保了快速、干净的开关动作，让您轻松应对高频应用挑战。其坚固的设计支持高达150°C的结温，为您产品的长期可靠运行保驾护航。