STL8N10F7 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL8N10F7技术参数详情：

在追求极致能效的今天，您的电源设计是否还在为功率损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗能够同时兼顾高功率密度与低温升表现的功率开关，将如何彻底改变您的产品性能格局。现在，答案就在STL8N10F7之中。这款来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其革命性的低导通电阻在10V驱动下仅20毫欧，为您打开了高效能量转换的大门，直接将导通损耗降至新低，让每一分电能都物尽其用。

无论是服务器电源中要求严苛的同步整流，还是电动工具里需要瞬间爆发大电流的电机驱动，甚至是不断追求轻薄化的车载充电器，STL8N10F7都能游刃有余。它100V的漏源电压和高达35A的连续漏极电流，赋予了系统强大的功率处理能力和可靠性保障。其采用的先进STripFET VII技术与DeepGATE结构，不仅优化了开关性能，更确保了在-55°C至150°C的广阔结温范围内稳定工作，直面各种复杂环境挑战。当您需要可靠的技术支持和本地化服务时，专业的ST中国代理将是您坚实的后盾。

选择STL8N10F7，意味着您选择了一种更明智的设计哲学。它超低的栅极电荷（仅22nC）和输入电容，显著降低了驱动损耗和开关延迟，让高频开关应用变得轻松而高效。小巧的PowerFlat 3.3x3.3封装在节省宝贵板面积的同时，其优异的散热特性确保了高达50W（Tc）的功率耗散能力。这不仅仅是一颗晶体管，更是一个提升整机效率、缩小产品体积、增强市场竞争力的综合解决方案。让它成为您下一个爆款产品的核心动力，共同开启高效节能的新篇章。

型号:STL8N10F7
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（3.3x3.3）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:3.5W（Ta），50W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
封装/外壳:8-PowerVDFN
现在可以订购STL8N10F7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起高功率重任，却又身形小巧、冷静高效的开关核心吗？STL8N10F7正是为您而来。这颗100V N沟道功率MOSFET，凭借其惊人的20毫欧超低导通电阻，能大幅降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统效率跃升新台阶，直接转化为更强的产品性能和更长的运行时间。

它集成了意法半导体先进的STripFET VII技术，不仅提供高达35A的连续电流处理能力，更拥有极低的栅极电荷和开关损耗，让您轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，降低整体系统成本。其坚固的PowerFlat封装和宽广的工作温度范围，确保它在严苛环境下依然稳定可靠，是您打造紧凑、高效、耐用产品的理想选择。