STL8N10LF3

想象一下，在您的下一个汽车电子或高密度电源设计中，如何将功率密度提升一个台阶，同时确保系统在严苛环境下的绝对可靠？答案或许就藏在这颗小小的功率器件之中。今天，我们向您隆重介绍意法半导体STripFET III家族中的明星产品STL8N10LF3。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是您实现高效、紧凑、可靠功率转换的得力助手。

这颗芯片的核心魅力，在于其卓越的性能与坚固品质的完美融合。基于先进的STripFET III技术，它在仅5x6毫米的PowerFlat封装内，实现了100V的耐压和高达20A的连续电流处理能力。更令人印象深刻的是，其导通电阻（RDS(on)）在10V驱动下低至35毫欧，这意味着在开关过程中，能量损耗被大幅削减，更多的电能被有效传递，直接转化为您系统的更高效率和更低的温升。无论是应对瞬间大电流冲击，还是在-55°C至175°C的广阔结温范围内稳定工作，它都游刃有余，这正是其通过AEC-Q101车规认证所赋予的底气。

那么，如此强悍的性能将点亮哪些应用场景？在电动汽车的OBC（车载充电机）和DC-DC转换器中，它能够高效管理能量流，助力延长续航；在服务器电源和工业电机驱动里，它的快速开关特性和低栅极电荷（仅20.5nC）能显著提升频率响应，缩小磁性元件体积，让您的设计更加小巧精悍；即便是在对空间极其苛刻的LED驱动或便携式设备电源模块中，其超薄的PowerFlat封装也能轻松嵌入，为产品“瘦身”而不牺牲任何功率性能。选择STL8N10LF3，就是选择为您的创新应用注入一颗强劲而可靠的心脏。

为何它值得成为您的首选？因为在追求极致性价比的今天，它提供了无可挑剔的价值组合。您无需在性能、尺寸和可靠性之间艰难妥协。其优化的驱动电压（5V/10V）与现代控制器完美匹配，简化了驱动电路设计。高达70W（Tc）的功率耗散能力，确保了在持续高负载下的稳定输出。当您致力于打造面向未来的、符合车规级标准的电源解决方案时，这颗来自行业巨头意法半导体的芯片，就是您信心的基石。我们作为专业的ST代理，不仅为您提供这颗优质芯片，更愿成为您技术道路上的合作伙伴，共同将高效的功率梦想变为现实。

• 型号:STL8N10LF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 100V 20A PWRFLT5X6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:970 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.3W（Ta），70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购STL8N10LF3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为寻找一颗既能扛住高压大电流，又能塞进紧凑空间的功率开关而烦恼吗？让STL8N10LF3来为您排忧解难！这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，集100V耐压与20A持续电流能力于一身，专为要求严苛的高效功率转换而设计。

它的核心使命，就是让您的系统运行得更“冷静”、更高效。凭借先进的STripFET III技术和低至35毫欧的导通电阻，它能显著降低开关损耗，将更多电能精准送达负载，直接提升整体能效并减少热管理压力。同时，其极低的栅极电荷和优化的开关特性，让您能够轻松提升开关频率，从而使用更小的外围电感电容，实现更高功率密度的设计。

无论是汽车电子、工业电源还是高密度服务器模块，选择STL8N10LF3，就是选择了一颗经过AEC-Q101车规认证的可靠心脏。它让您轻松应对高可靠性与高性能的双重挑战，助力您的产品在竞争中脱颖而出。