STL8N6F7 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL8N6F7技术参数详情：

想象一下，您的下一款电源或电机驱动产品，能否在更小的空间内，承载更大的电流，同时将发热和损耗降至更低？这正是STL8N6F7为您带来的核心价值。作为意法半导体STripFET F7系列中的明星成员，这颗N沟道功率MOSFET以其卓越的性能，正在重新定义高效功率转换的边界。

当您面对DC-DC转换器、电机驱动或负载开关的设计挑战时，STL8N6F7就是您可靠的性能基石。其高达60V的漏源电压和36A的连续漏极电流，为您的系统提供了充沛的动力储备。更关键的是，其极低的导通电阻（典型值远低于25毫欧）意味着在相同电流下，它能将更多的电能转化为有用功，而非恼人的热量。这不仅提升了整体效率，也简化了您的散热设计，让产品结构更紧凑，运行更安静、更可靠。无论是提升电动工具的输出扭矩，还是优化服务器电源的能效，它都能游刃有余。

选择STL8N6F7，就是选择了一种经过市场验证的高效解决方案。其采用的先进PowerFlat封装（3.3x3.3mm），在提供出色散热能力的同时，大幅节省了宝贵的PCB空间，特别适合当今追求高功率密度的紧凑型设计。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在严苛环境下的稳定表现。此外，其优化的栅极电荷和输入电容特性，让开关过程更快、更干净，有助于减少开关损耗并简化驱动电路设计。如果您正在寻找一个能同时兼顾高性能、高可靠性和出色性价比的功率开关，那么STL8N6F7无疑是您的上佳之选。您可以通过官方授权的ST代理商获取样品与技术资料，即刻开启您的高效设计之旅。

型号:STL8N6F7
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（3.3x3.3）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 60V 36A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:3W（Ta），60W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在为功率转换效率瓶颈而烦恼吗？STL8N6F7 N沟道功率MOSFET就是您破局的关键。它专为高效开关应用而生，其超低的导通电阻能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更“冷静”，电能转换更直接。

这颗芯片能为您做什么？它就像一位高效的“电能守门员”。在高达60V、36A的应用场景中，它能以极快的速度、极小的损耗控制大电流的通断。其优化的动态参数让开关动作干净利落，帮助您轻松提升系统整体能效，并简化外围驱动设计。无论是用于同步整流、电机控制还是负载开关，STL8N6F7都能让您的产品性能脱颖而出，在激烈的市场竞争中占据能效制高点。