STL90N10F7 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL90N10F7技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换世界里，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一款能在高频开关中保持冷静，在严苛环境下稳定输出的功率器件，将如何彻底改变您的电源设计。今天，我们向您介绍的正是这样一款性能标杆STL90N10F7。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体尖端STripFET VII技术与DeepGATE工艺的结晶，专为挑战效率极限而生。

当您的设计涉及服务器电源、工业电机驱动或高密度车载充电器时，对功率器件的考验是全方位的。STL90N10F7以其100V的漏源电压和高达70A的连续漏极电流，为这些高压、大电流应用场景提供了坚实的基石。其革命性的低导通电阻在10V驱动电压下仅10.5毫欧，意味着更低的传导损耗，电能得以更高效地传输，而非浪费在发热上。搭配极低的栅极电荷（39nC）和优化的输入电容，它实现了惊人的快速开关性能，显著降低了开关损耗，让您的系统整体效率轻松跃升一个新台阶。

选择STL90N10F7，就是选择了一份从容与可靠。其采用先进的PowerFlat（5x6）封装，不仅实现了优异的散热性能，支持高达100W（Tc）的功率耗散，更大幅节省了宝贵的PCB空间，助力产品小型化设计。高达175°C的结温工作能力，确保了它在恶劣工况下的长久稳定运行。无论您是在升级现有方案还是开拓全新领域，这颗芯片都能让您摆脱性能瓶颈，专注于实现更宏伟的创新。如果您正在寻找值得信赖的合作伙伴，我们作为专业的ST芯片代理，随时准备为您提供从选型到供应的全方位支持，助您将卓越的芯片性能，转化为产品的市场竞争力。

型号:STL90N10F7
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（5x6）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 70A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3550 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:5W（Ta），100W（Tc）
工作温度:175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？STL90N10F7 N沟道功率MOSFET，正是为您的高效设计而来。它集成了意法半导体领先的STripFET VII技术，拥有低至10.5毫欧的超低导通电阻，能显著减少传导损耗，让电能传输更顺畅；同时，其优化的栅极电荷和电容特性，确保了快速干净的开关动作，大幅降低开关损耗，从而全面提升系统能效。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭高达100V电压和70A电流的严苛应用，无论是数据中心电源、电机驱动还是新能源车载设备，都能提供稳定强劲的动力核心。其坚固的PowerFlat封装兼具卓越的散热能力和紧凑的占板面积，配合宽广的工作温度范围，让您的产品设计在追求高性能的同时，无需在可靠性与体积上妥协，真正实现高效、紧凑且耐用的完美平衡。